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CNI v3.0 CNI v3.0小型纳米压印机

型号
CNI v3.0
参数
应用领域:电子
迈可诺技术有限公司

中级会员11年 

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半导体化工领域专业实验设备供应商:迈可诺是一家富有创新精神的高科技公司,专业提供光电半导体化工实验室所需设备耗材的全套解决方案提供商,迈可诺从事开发、设计、生产并营销质量可靠的、安全易用的技术产品及优质专业的服务,帮助我们的客户和合作伙伴取得成功。我们成功的基础是帮助客户做出更好的选择和决定,尊重他们的决定,并协助他们实现高效率的科研成果,追求丰富有意义的生活。



详细信息

特色:

  • 体积小巧,容易存放,桌面型;
  • 轻微复制微米和纳米级结构;
  • 热压印温度高达200
  • 可选的高温模块,适用于250
  • UV纳米压印,365nm曝光
  • 可选的UV模块,适用于405nm曝光;
  • 真空纳米压印(腔室可抽真空至0.1mbar);
  • 纳米压印压力高达11bar
  • 温度分布均匀、读数精准;
  • 笔记本电脑全自动控制,工艺配方编辑简单,*灵活控制,自动记录数据;
  • 直径大210mm(圆形)腔室;
  • 腔室高度为20mm
  • 即插即用
  • 使用简单直观
  • 专为研发而设计
  • 提供安装和操作教程视频

 

在过去的五年中,基于石墨烯的气体传感器引起了很大的兴趣,显示出了单分子检测的优势。 近的研究表明,与未构图的层相比,构图石墨烯可大大提高灵敏度.

通过标准程序生长CVD石墨烯,然后转移到Si/SiO 2模板上进行进一步处理。 如(Mackenzie,2D Materials,使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。

使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻,将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃,6bar压力下压印10分钟,压力在70℃下释放。

通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中,并且用丙酮除去残留的抗蚀剂。

发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约2000cm2/Vs的载流子迁移率,之后具有400cm2/Vs的载流子迁移率处理,同时保持整体低掺杂水平。

 

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应用领域 电子
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