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BTF-1200C-S-PECVD 微型PECVD系统管式炉
- 型号
- BTF-1200C-S-PECVD
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安徽贝意克设备技术有限公司成立于2012年，基地位于安徽合肥，是一家集新材料设备研发、生产、销售与技术服务于一体的高科技企业。
公司重视技术攻关和产品研发，建有超卓的产品研发中心，拥有一支由多名博士硕士组成的专业研发队伍，累计获得patent200余项。并通过产学研合作，与北京大学南开大学等多所院校建立联合实验室及研究生联合培养基地
公司专注于新材料装备工艺开发及装备制造，产品门类涵盖了OLED材料提纯专用设备系列、碳材料制备设备系列、半导体专用设备系列及金属纳米颗粒设备系列四大类共十余个子类，与众多材料厂商、科研院校等保持长期合作关系，市场营销网络遍布全球各地。
连年来，公司相继被认定为“高新技术企业”“专精特新企业““科技小巨人培育企业”“石墨烯生长设备工程技术研究中心”“瞪羚企业”“雏鹰企业”，并接连获得“中国隐形独角兽500强”“科技创新奖”“创新创业奖”等多项荣誉。
详细信息
微型PECVD系统，它包括小型真空管式炉，石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、物料喷射系统。电源范围宽：0-100W可调； 温度范围宽：100-1200度可调；溅射区域宽：0-600mm可调；适用范围宽:金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能。
主要特点
1. 薄膜沉积速率高：采用了甚高频技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S；
2. 大面积均匀性高：采用了*的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；
3. 一致性高：用半导体行业的*设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；
4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定；
5. 选配物料喷射系统，可将原料直接喷射到反应区。
技术参数
真空管式炉 | 炉管尺寸： | 外径Φ50×700mm |
极限温度： | 1200℃ | |
温度控制器： | PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率，30段可编程控制器 | |
zui快升降温速率： | 60℃ | |
加热区： | 230mm | |
恒温区： | 100mm | |
温度精度： | ±1℃ | |
电源： | 单相220V,交流50Hz | |
多通道流量计控制系统 | 标准量程： | 100，200SCCM；（以氮气标定，除以上标准外量程可选） |
准确度： | ±1.5% | |
工作压差范围： | 0.1～0.5 MPa | |
大压力： | 3MPa | |
接头类型： | Φ6双卡套不锈钢接头 | |
高真空系统
| 泵体积流量N2： | 33 L/S |
压缩比： | ≥1011mbar | |
实验真空值： | ≤10-6mbar | |
功率消耗： | 140W | |
启动时间： | 2min | |
电源要求： | 185-265V AC | |
射频电源 | 信号频率： | 13.56MHz±0.005%W |
功率输出范围： | 0-100W | |
大反射功率： | 10W |
