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Centrotherm Oxidator 150 Centrotherm 高温氧化系统-Oxidator 150
- 型号
- Centrotherm Oxidator 150
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公司自成立以来就一直专注于半导体、微组装和电子装配等领域的设备集成和技术服务；目前公司拥有一支在半导体制造、微组装及电子装配等领域经验丰富的专业技术团队，专业服务于混合电路、光电模块、MEMS、先进封装（TSV、Fan-out等）、化合物半导体、微波器件、功率器件、红外探测、声波器件、集成电路、分立器件、微纳等领域。我们不仅能为客户提供整套性能可靠的设备，还能根据客户的实际生产需求制订可行的工艺技术方案。
目前亚科电子已与众多微电子封装和半导体制造设备企业建立了良好的合作关系（如：BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等），为向客户提供先进的设备和专业的技术服务打下了坚实基础。
详细信息
Centrotherm 高温氧化系统-Oxidator 150
一、产品简介
德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商，尤其在高温设备领域。Centrotherm Oxidator 150 经过专业的研发, 能够满足 SiC 圆片的高温氧化工艺; 同时亦可用于常规的硅圆片的氧化。Centrotherm Oxidator 150 的反应腔具有性能高、占地小和生产成本低等特点，为客户提供最高的工艺灵活度, 同时能够保证有毒气体的安全使用。
设备特点：
炉管和加热器均处于真空密闭反应腔内，上下料腔室可用Ar或 N2 进行吹扫，可以保证有毒气体（如 NO、N2O、H2、NO2 等） 的安全使用。
氧化工艺使用 N2O 气氛，可以改善 SiO2/SiC 接触表面以获得更高的通道迁移率，同时可提高SiC表面氧化物的稳定性和寿命。
提供带有氢氧合成系统的湿氧工艺。
高达 1350 ℃ 的温度和其他支持功能为 SiC 氧化工艺和低界面陷阱密度, 高通道移动率的氧化层研制提供可能。
二、适用工艺
高温SiC或Si氧化
氧化后退火（氢气环境）
三、产品特性
性能
圆片尺寸： 2″、3″、4″、6″
工艺温度： 900 ℃ ~ 1350 ℃
