国产电子束光刻利用电子束在涂有电子抗蚀剂的晶片上直接描画或投影复印图形的光刻技术。电子抗蚀剂是一种对电子敏感的高分子聚合物。经过电子束扫描过的电子抗蚀剂发生分子链重组，使曝光图形部分的抗蚀剂发生化学性质改变，经过显影和定影，获得高分辨率的抗蚀剂曝光图形。现代的电子束光刻设备已经能够制作小于10纳米的精细线条结构，也可制作光学掩模版。

国产电子束光刻主要功能：曝光速度快精度高，可采用大写场大束流进行曝光，适用于科研及小批量生产中使用；自动化程度高，除了放样取样外，整个曝光过程只需要编辑曝光的相关参数，其他过程均可自动完成。

尽管电子束光刻具有高分辨率，但用户通常不考虑在电子束光刻过程中产生缺陷。缺陷可以分为两类：与数据相关的缺陷和物理缺陷。

与数据有关的缺陷可以进一步分为两个子类别。当电子束原本应该正确偏转时，会发生消隐或偏转错误；而当将错误形状投射到样品上时，在可变形状的电子束系统中会发生成形错误。这些错误可能源自电子光学控制硬件，也可能源自录音带。可以预期，较大的数据文件更容易受到与数据相关的缺陷的影响。

物理缺陷变化更大，可能包括样品带电（正电荷或负电荷），反向散射计算误差、剂量误差、雾化（反向散射电子的远距离反射）、除气、污染、电子束漂移和粒子。由于电子束光刻的写入时间很容易超过一天，因此“随机发生”的缺陷更有可能发生。同样，较大的数据文件可能会带来更多的缺陷机会。