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QBT-T 双腔体高真空等离子体原子层沉积系统
- 型号
- QBT-T
ALD，PVD，CVD，原子层沉积设备 原子层沉积系统
厦门韫茂科技有限公司成立于2018年，由硅谷海归团队创立，核心成员拥有超20年薄膜沉积工艺及设备开发产业化经验，2021年入选高新技术企业，2022年入选厦门专精特新技术企业，是一家以纳米级薄膜沉积工艺技术为核心的多领域全栈式薄膜沉积方案供应商，为客户提供全面的技术解决方案以及先进的纳米材料薄膜沉积装备，针对先进制造国产化的痛点，开发自主设备。
详细信息
一、核心参数：
产地类别：国产原子层沉积系统（ALD）
衬底尺寸：6寸
工艺温度：RT-300℃
前驱体数：最大可包括3组等离子体反应气体，8组液体或固体反应前驱体
重量：300KG
尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm
均匀性：99%
二、原子层沉积（Atomiclayerdeposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。
三、产品描述：
厦门韫茂科技公司的双腔体高真空等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是*能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。
四、厦门韫茂科技有限公司为您提供双腔体高真空等离子体原子层沉积系统QBT-T的参数、价格、型号、原理等信息，QBT-T产地为福建、品牌为韫茂，型号为QBT-T，价格为100万-200万RMB，更多相关信息可咨询，公司客服电话7*24小时为您服务。
五、技术参数：
产地类别：国产原子层沉积系统（ALD）
衬底尺寸：6寸
工艺温度：RT-300℃
前驱体数：最大可包括3组等离子体反应气体，8组液体或固体反应前驱体
重量：300KG
尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm
均匀性：99%
二、原子层沉积（Atomiclayerdeposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。
三、产品描述：
厦门韫茂科技公司的双腔体高真空等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是*能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。
四、厦门韫茂科技有限公司为您提供双腔体高真空等离子体原子层沉积系统QBT-T的参数、价格、型号、原理等信息，QBT-T产地为福建、品牌为韫茂，型号为QBT-T，价格为100万-200万RMB，更多相关信息可咨询，公司客服电话7*24小时为您服务。
五、技术参数：
