1 产品概述：

      化合物半导体沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。

2 设备用途：

化合物半导体沉积系统的主要用途包括：

1. 晶圆制备：通过外延生长技术，在衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，用于制造高性能的半导体器件。

2. 芯片设计与制造：支持化合物半导体器件的设计与制造过程，包括射频功率放大器、高压开关器件等。

3. 光电器件：用于制造太阳电池、半导体照明、激光器和探测器等光电器件。

4. 微波射频：在移动通信、导航设备、雷达电子对抗以及空间通信等系统中，化合物半导体沉积系统用于制造射频功率放大器等核心组件。

3. 设备特点

化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：

1. 高精度与均匀性：

      沉积均匀性：能够实现晶圆级的高沉积均匀性，确保薄膜厚度和质量的一致性。

      精确控制：通过调节沉积参数，如温度、压力、气体流量等，可以精确控制薄膜的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度。

2. 多功能性：

      多种沉积方法：支持化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等多种沉积方法，满足不同材料和器件的制备需求。

      多种薄膜材料：能够沉积金属薄膜、非金属薄膜、多组分合金薄膜以及陶瓷或化合物层等多种薄膜材料。

3. 高温与低温兼容性：

      高温沉积：部分设备能够在高温下工作，确保薄膜的结晶质量和纯度。

      低温辅助：采用等离子或激光辅助技术，可以降低沉积温度，保护基体材料不受高温损伤。

4. 高效与自动化：

      高吞吐量：通过优化设计和自动化控制，提高生产效率，降低生产成本

4  设备参数：

·         晶圆尺寸配置包括 3x2 英寸、6x2 英寸、19x2 英寸等多种规格。

·         具有动态工艺间隙调整功能，高工作温度可达 1400°C（部分型号）