金属有机化合物化学气相沉积镀膜设备

我们提供了一套完整的MOCVD，主要产品包括台式研发型、中试型和生产型。其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。我们也能为客户设计以满足客户特殊工艺和应用的需要。系统部件包括：反应器、气体传输系统、电气控制系统和尾气处理系统.
应用方向：氧化物、氮化物、碳化物、硫族（元素）化物、半导体等。
提供适用不同材料研究需要的反应器：
透明导体氧化物（TCO）应用于LCD、太阳能电池、透明加热器、电极、LED、OLED等方面包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系统；
MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2，SiO2，PbMgO, CMO，Ta2O5等MOCVD系统；金属有机金属有机化合物化学气相沉积镀膜设备
储存器 (DRAM & NVRAM)介电/钝化材料应用于栅极、介电层、铁电、高频设备、钝化、保护层等，包括：BST，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD系统；
波导, 光电, WDMs. MOEMS 等材料，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系统；
其他材料如：超导、氮化物、氧化物、磁性材料、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系统；
金属及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...；
半导体: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...；
氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...；
高介电材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...；
铁电材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…；
超导材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …；
压电材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性钛酸铅...；
金属:Pt, Cu,...；
巨磁阻材料...；
热涂层, 阻挡层, 机械涂层, 光学材料...。


我们提供了从桌面型反应器（针对研究和提高的需要）到自动化生产系统。出于材料变化种类的适应性和经济价格的考虑，对任何研究人员来说桌面型反应器是最合适的选择，而且也极容易升级为量产型。
科研型MOCVD设备，包含液体直接注入ALD工艺，同一腔室完成沉积和退火。
-更低的设备及使用成本、更少的前驱体源使用、更小的腔体尺寸、跟高的薄膜沉积品质！
-非常适合高校及研究所科研使用！

仪器参数：
1/ 1~4英寸MOCVD系统；
2/ 专为满足科研单位需求而设计；
3/ MOCVD系统可在不同基底上，以MOCVD方式，在固体、液体有机金属基源上沉积氧化物、氮化物、金属、III-V 和 II-VI膜层；
4/ MOCVD配有前驱体直接处理单元，可在大范围内使用MO源，用于外延材料的研发和制备；
5/ MOCVD腔室中的红外灯加热系统可实现在线退火工艺；

性能及特点：
1， 温度范围: 室温至1200°C ；
2， 带质量流量控制器的气体混合性能；
3， 真空范围: ~ 10-3 Torr，可选配高真空；
4， 选配手套箱；
5， 已被客户广泛接受
6， 坚固耐用
7， 可靠性高
8， 良好的可重复性
9， 经济适用