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C-43型多点光源曝光头高精度国产光刻机

型号
参数
用途1:中小规模集成电路研制生产 用途2:半导体元器件研制生产 用途3:声表面波器件研制生产 曝光头:多点光源 出射光斑:直径不超过110mm 曝光时间:通过0.1~999.9秒的时间继电器进行设定 分辨率:不低于1μm 曝光面积:不小于φ100mm 曝光不均匀性:小于±4% 控制膜版尺寸:5英寸 曝光灯功率:350W
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详细信息

C-43型多点光源曝光头高精度国产光刻机

C-43型多点光源曝光头高精度国产光刻机


C-43型国产高精度光刻机主要用途是在中小规模集成电路、半导体元器件和声表面波器件的研制和生产中使用。C-43的出色之处在于其先进的找平机构,这使得它适用于对不同类型的材料进行曝光,包括硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片和宝石片等。


C-43型国产高精度光刻机的工作方式是一次性光刻曝光,即一次完成曝光过程。以下是其主要技术指标:

配置壹件承片台,其尺寸可以根据用户需求进行制造。

曝光头采用多点光源,具备以下特性:

出射光斑直径不超过110mm。

在直径为100mm的范围内,光的不均匀性小于±4%。

能够在真空密封条件下进行曝光。

曝光时间可以通过0.1~999.9秒的时间继电器进行设定。

汞灯的位置可以通过精密的x、y、z调节装置进行调整,分别可以调节±5毫米。

具备风扇冷却装置。

分辨率不低于1μm。

具备真空吸片功能。

具备真空密封和反吹气的功能,通过调节密封真空的大小可以实现硬接触曝光(密封真空≤-0.05 Mpa)、软接触曝光(密封真空在-0.05Mpa~-0.02Mpa之间)和微力接触曝光(密封真空≥-0.02Mpa)。


C-43型多点光源曝光头高精度国产光刻机主要配置:

一台多点光源曝光头,支持一次性曝光。

曝光面积不小于φ100mm。

曝光不均匀性小于±4%。

曝光强度不低于15mw。

曝光分辨率不高于2μm。

曝光模式为单面曝光。

控制膜版尺寸为5英寸。

基片尺寸为100mm×100mm,厚度不超过5mm。

曝光灯功率为350W。

曝光定时范围为0~999.9秒,可调。

电源要求为单相AC 220V 50Hz,功耗不超过1kW。

需要洁净压缩空气压力不低于0.4Mpa。

可以实现真空度在-0.07Mpa~-0.09Mpa之间。

尺寸为700×650×1200毫米(长×宽×高),重量约为110kg。

备件包括一台真空泵、一只汞灯和15米φ8气管。


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产品参数

用途1 中小规模集成电路研制生产
用途2 半导体元器件研制生产
用途3 声表面波器件研制生产
曝光头 多点光源
出射光斑 直径不超过110mm
曝光时间 通过0.1~999.9秒的时间继电器进行设定
分辨率 不低于1μm
曝光面积 不小于φ100mm
曝光不均匀性 小于±4%
控制膜版尺寸 5英寸
曝光灯功率 350W
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