美国PIE Scientific专注研发*实验室用等离子仪器，用于SEM/TEM样品清洁、光刻胶蚀刻、等离子体增强沉积、表面处理与活化。我们的宗旨是：将半导体和核工程研究中开发的等离子技术集成到经济实用的实验室用等离子仪器。

污染物对电子显微镜SEM/TEM和其它高真空系统产生的影响

润滑剂、真空脂、泵油样品中的高分子聚合物，或未经处理的空气都会把碳氢污染物引到真空系统中。低蒸汽压下高分子重污染物会凝聚在样品表面和腔室壁上，而使用普通气体吹扫方法很难把碳氢污染物清除。

电子和高能光子(EUV, X-ray)能够分解存在于真空系统中或样品上的碳氢污染物。碳氢化合物的分解产物沉积在被观测的样品表面或电子光学部件上。这种碳氢污染沉积会降低EUV的镜面反射率，降低SEM图像对比度和分辨率，造成错误的表面分析结果，沉积在光阑或其它电子组件的不导电碳氢污染物甚至会造成电子束位置或聚焦缓慢漂移。在ALD系统中，样品表面的碳氢污染物还会降低薄膜的界面匹配质量。

特点：

1. 系统具有双等离子源。浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻。远程式等离子源用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化

2. 13.56MHz高频射频发生器

3. 7英寸触摸屏控制界面，全自动操作

4. 标配75W版本，可选150W版本

5. 标配2路气体输入，可选第三路气体输入

6. 可选与FEI、JEOL、HITACHI等TEM样品杆配套的适配器

7. AC输入：通用(110~230V, 50/60Hz)

除了Tergeo EM型SEM & TEM样品清洁等离子清洁仪，另有Tergeo Basic基本型等离子清洁仪和Tergeo Plus型大腔室等离子清洁仪

三、技术参数

1、控制系统

1）操作界面：7英寸电阻触摸屏操作界面，支持多种工作方式。

2）程序控制：可编程，总共有20个程序，每个程序有3个清洁步骤

2、反应腔体

1）腔体材质：圆柱形石英玻璃舱。

2）腔体尺寸：内径110毫米，外径120毫米，深度280毫米，壁厚：5毫米。

3）前观测窗：前方开口，5毫米厚石英玻璃可视窗口，可观测内腔等离子状态，并带有防真空泄漏和避免高压的联锁装置，有效保护操作的安全性；

3、射频电源

1）射频频率：13.56MHz

2）射频功率：标配0~75W；可选配0~150W。从0瓦到150瓦之间以1瓦间距连续可调，自动阻抗匹配。

3）射频输出可以工作在脉冲方式，脉冲比可以从1/255调到255/255（连续输出）。

4、等离子源

1）等离子强度探测器实时测量等离子源强度。

2）电阻耦合电离方式。

3）外置电极设计，高压电极不合等离子接触以避免金属溅射造成的样品污染。

5、气体控制

1）气路控制：标配一路MFC；可选配三路MFC；

2）质量流量计可以在0~100sccm之间控制气体流量；

3）一路(Venting and purging)气体入口用来快速给样品室放气和冲走残余处理气体。

4）自动放气流程控制可以保护真空泵不受影响。

5）高性能气压计可以测量1e-4 Torr到大气压之间的气压。

6）6mm气体接口。

6、真空系统

1）KF25法兰接口用来连接真空泵。

2）真空要求：抽速：>1.7m3/h；

3）低气压：<=200mTorr.