反应离子刻蚀
NRE-4000(A)全自动反应离子刻蚀概述:
NRE-4000是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统,配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12”的晶圆片。腔体为超净设计,并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。
该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制,该系统具有高度的可重复性。
NRE-4000(A)全自动反应离子刻蚀产品特点:
- 铝质腔体或不锈钢腔体
- 不锈钢立柜
- 能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属
- 典型的硅刻蚀速率,400 ?/min
- 高达12”的阳极氧化铝RF样品台
- 水冷及加热的RF样品台
- 大自偏压
- 淋浴头气流分布
- 极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别
- 涡轮分子泵
- 至多支持8个MFC
- 无绕曲气体管路
- 自动下游压力控制
- 双刻蚀能力支持:RIE以及PE刻蚀(可选)
- 终点监测
- 气动升降顶盖
- 自动上下载片
- 预真空锁
- 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
- 菜单驱动,4级密码访问保护
- *的安全联锁
- 可选ICP离子源以及低温冷却样品台,用于深硅刻蚀
Features:
- Aluminum or Stainless Steel Chamber
- Stainless Steel Cabinet
- Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals
- Typical Si etch rate, 400 ?/min
- Up to 12“ Anodized RF Platen
- Water Cooled and Heated RF Platen
- Large Self Bias
- Shower Head gas distribution
- Approximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure
- Turbomolecular Pump
- Up to eight MFCs
- No flexing of gas lines
- Down Stream Pressure Control
- Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch(Option)
- End Point Detection
- Pneumatically Lifted Top
- Automatic loading/unloading
- Load Lock
- PC Controlled with LabVIEW
- Recipe Driven, Password Protected
- ully Safety Interlocked
- Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch