NIE-4000 IBE离子束刻蚀机概述：

如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。样品表面通常采用厚胶作为掩模，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。NANO-MASTER技术可以把基片温度控制在50℃以内，以便消除热量及后续的光刻胶剥离，同时支持

晶圆旋转以达到想要的均匀度。

该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。

NIE-4000 IBE离子束刻蚀机特点：

• 14.5"不锈钢立体离子束腔体

• 16cm DC离子枪1000eV,500mA, 气动不锈钢遮板

• 离子束中和器

• 氩气MFC

• 6"水冷样品台

• 晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机

• 步进电机控制晶圆片倾斜

• 手动或自动上下载晶圆片

• 典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min

• 6"范围内，刻蚀均匀度+/-3%

• 极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）

• 配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr

• 磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化

• 基于LabView软件的PC计算机全自动控制

• 菜单驱动，4级密码访问保护

• 完整的安全联锁