热电冷却InGaAs探测器 波长950-1650nm

DAPD-TO8热电冷却InGaAs探测器 波长950-1650nm

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2024-08-15 16:41:54
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深圳维尔克斯光电有限公司

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产品简介

Amplification近红外离散放大光子探测器又可以被称为近红外铟镓砷探测器,波长覆盖950nm至1650nm的近红外波段。Amplification热电制冷近红外探测器DAPD TO8专为宽带模拟检测低光信号而设计,近红外铟镓砷探测器对NIR模拟检测器而言具有的信号脉冲灵敏度。热电冷却InGaAs探测器 波长950-1650nm

详细介绍

950-1650nm,2000个光子的灵敏动态,配备热电冷却器的NIR InGaAs光子探测器

Amplification NIRDAPD TEC近红外探测器是一款近红外离散放大光子探测器,波长覆盖950nm1650nm的近红外波段。Amplification热电制冷近红外探测器DAPD TO8专为宽带模拟检测低光信号而设计,近红外铟镓砷探测器对NIR模拟检测器而言具有的信号脉冲灵敏度。NIR InGaAs光子探测器的灵敏度涵盖了从单个光子到每脉冲约2000个光子的宽动态范围,并且其输出信号与检测到的光子数成正比。热电冷却InGaAs探测器 波长950-1650nm

Amplification近红外光子探测器采用了离散放大(DA)方法,该方法由Amplification Technologies公司开发并获得利。Amplification近红外离散放大光子探测器可以实现高品质的内部放大,具有高增益(>105)、快速响应(<0.4ns上升时间)和极低的过噪声因子(<1.05)。该近红外铟镓砷光子探测器采用TO-8封装,并配备三阶段热电冷却器。与DEM2系列评估模块结合使用时,当环境温度为25°C时,NIRDAPD TEC可以冷却到-50°C

Amplification近红外TEC探测器DAPD-TO8有两种不同的有效面积尺寸可供选择:80µm200µm

热电冷却InGaAs探测器 波长950-1650nm


Amplification近红外探测器的主要特点:

-近红外光谱响应从9501650 nm

-快速响应:上升时间< 0.4ns

-高增益:在最大PDE下,G=~100k

  -低噪声因子:F<1.05

  - TEC冷却到-50ºC

  这表明热电冷却InGaAs探测器可以通过热电制冷(TEC)技术冷却到极低的温度。在低温下,Amplification近红外离散放大光子探测器的性能可能会得到提高,因为热噪声会减少。Amplification近红外探测器DAPD TO8的输出信号相对于噪声是非常干净的,可以提高检测的准确性。


Amplification近红外铟镓砷探测器的主要应用:

       -激光雷达3D成像

       -激光雷达和环境监测

       -光谱学和仪器

       -量子通信

NIRDAPD TEC近红外探测器的规格:(工作温度为 -50°时)          

热电冷却InGaAs探测器 波长950-1650nm

热电冷却InGaAs探测器 波长950-1650nm

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