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Alphalas UPD超快光电探测器（800-2100nm，上升沿时间＜150ps，InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm，上升沿时间＜15ps， InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm ＜35ps上升沿时间 >10GH
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,抛
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,D
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350-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸3.6×3.6mm，带宽范围DC～6.7M
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800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器，响应时间常数35ns
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800-1800nm锗带偏压光电探测器，感光尺寸Φ5.0mm
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为FC/PC光纤座
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为窗片
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ10.0mm
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm
面议铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm
InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
产品特性
截止波长： 2.6μm
低成本
感光面积： φ0.3 mm
低噪声
高灵敏度
高可靠性
高速响应
产品应用
光功率计
气体分析
湿度计
近红外光度法
详细参数
| 感光面积 | φ0.3mm |
| 像元个数 | 1 |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-18 |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光谱响应范围 | 0.9 to 2.6 μm |
| 峰值灵敏度波长(典型值) | 2.3 μm |
| 灵敏度 (典型值) | 1.3 A/W |
| 暗电流 (最大值) | 100000 nA |
| 截至频率（典型值） | 50 MHz |
| 结电容(典型值) | 1800 pF |
| 噪声等效功率 (典型值) | 4×10-13 W/Hz1/2 |
| 测量条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz. |
光谱响应
外形尺寸（单位：mm）
铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm
