电子束光刻系统

eLINE Plus电子束光刻系统

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具体成交价以合同协议为准
2024-09-06 14:43:42
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深圳市矢量科学仪器有限公司

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产品简介

电子束光刻系统 技术参数:
1.最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm
2.50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调
3.肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nA

详细介绍

1.产品概述:

eLINE Plus -专为多种原位纳米加工技术的最宽带宽应用而设计,超越了经典的电子束光刻(EBL)。

2.产品优势:

世界上专业EBL系统中最小的波束尺寸(< 1.6 nm)

EBL抗蚀剂的线宽小于5nm

使用电子束诱导沉积(EBID)技术演示了亚7纳米线

新的eLINE Plus被设计的多重技术纳米光刻系统,用于所有科学学科的广泛应用

ELINEPlus公司的先进光刻基础设施使超高分辨率和大面积纳米制造成为可能,并统一了电子束光刻、纳米工程和超高分辨率成像的世界。

专业和无损的EBL:保证系统规格和小的光束尺寸与全球应用支持基础设施相结合,使eLINE Plus成为努力有效地建立纳米制造新前沿的学术机构的理想解决方案。

3. 产品参数:

最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nm

50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调

肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nA

图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nm

通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架

拼接精度:

100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigma

套刻精度:

100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigma

束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8h



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