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玉崎科学半导体设备理学Rigaku高精度射线
玉崎科学半导体设备理学Rigaku高精度射线
TSAXS 是一种用于 CD 测量的在线小角度 X 射线散射方法。
兼容最大 300 毫米的晶圆
端器件微形状（浅图案/深图案）测量设备
可以对纳米结构进行无损测量，例如横截面轮廓、深度、形状和坡度。获得反映横截面形状的 X 射线衍射图像。
我们提供一系列适合各种形状半导体器件的设备。
可以非破坏性地测量纳米结构，例如横截面轮廓、深度、形状和坡度。
无需任何事先准备（例如文库）即可开始测量和分析。准确测量抗蚀剂等有机材料，无收缩。
使用 TSAXS 进行深孔无损测量
叠加 TSAXS 和横截面扫描电子显微镜 (SEM)
TSAXS 侧壁 TiN 薄膜的厚度分布
晶圆平面内CD和面内倾斜角的分布
深度方向CD剖面
| 方法 | 小角 X 射线散射 - 透射模式 (TSAXS) | |
|---|---|---|
| 目的 | 高深宽比 (HAR) 结构的关键尺寸测量 | |
| X射线源 | 旋转阳极阴极（Mo Ka，17.4 keV） | |
| X射线光学系统 | 多层镜光学系统 | |
| X射线探测器 | HyPix 6000HE (2D) | |
| 主要部件 | 图案化晶圆的测量 周期性微小 3D 形状 深孔/柱结构 DRAM、3D-NAND、3D LSI 结构 | |
| 特征 | 模式识别和全晶圆映射 | |
| 选项 | GEM300 软件，E84/OHT 支持 | |
| 机身尺寸 | 4020（宽）×2500（深）×3450（高）毫米 | |
| 测量目标 | 节距、CD、高度、侧壁厚度、SWA（侧壁角度）、RT（圆顶）、RB（圆底）、CD分布、节距分布、高度分布 | |
