半导体设备日本理学Rigaku射荧光射线分析仪

NANOHUNTER II半导体设备日本理学Rigaku射荧光射线分析仪

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-09-29 11:52:39
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应用领域:医疗卫生,化工,制药,综合;
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医疗卫生,化工,制药,综合
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玉崎科学仪器(深圳)有限公司

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产品简介

半导体设备NANOHUNTER II日本理学Rigaku射荧光射线分析仪
半导体设备日本理学Rigaku射荧光射线分析仪

台式全内反射荧光X射线分析仪
可进行高灵敏度元素分析的台式全内反射荧光射线分析仪。

详细介绍

半导体设备日本理学Rigaku射荧光射线分析仪

半导体设备日本理学Rigaku射荧光射线分析仪


高强度/高灵敏度测量

这是一款采用全内反射荧光X射线分析的样品表面微量元素。配备高输出水冷X射线管和大面积SDD探测器,即使是台式设备,也能实现普通荧光X射线分析无法获得的高灵敏度分析。

通过添加内标元素、滴加、干燥,可以轻松分析饮用水或环境水中的ppb级痕量成分。

它适用于高基质样品的筛选分析,因为 ICP 分析存在的记忆效应和设备污染风险较小。此外,通过扫描入射X射线角度,可以在深度方向上分析样品表面上的沉积物和薄膜。


NANOHUNTER II 概述


高强度/高灵敏度测量

使用 600W 高功率 X 射线源、反射镜和大面积 SDD 可以进行高灵敏度测量。我们已实现有害元素 As、Se 和 Cd 的 ppb 级检测限。

可选择多种激发条件

在标准激发条件(Mo靶)下,可有效激发As、Pb等有害元素。
双结构多层膜允许使用高能激发条件(约30 keV),从而可以使用光谱相互重叠的Cd、Ag等的K线区域作为测量线。

可变入射角机构实现角度分辨测量

通过使用任意改变入射角的机制,现在不仅可以获得表面附近的元素信息,还可以获得深度方向的元素信息。

用于薄膜深度分析的 GI-XRF

在固体表面分析领域,需要比表面略深入的分析(主要是薄膜和厚膜领域)。 对于这种类型的分析,采用一种称为掠入射射线荧光 (GI -XRF) 的方法,通过改变 X 射线源的入射角来激发地下元素。 NANOHUNTER II TXRF 光谱仪的可变入射角可以对深度剖面进行表面分析。 GI -XRF技术适用于纳米级研究。


NANOHUNTER II 规格

产品名称纳米猎人II
方法全内反射射线荧光 (TXRF)
目的液体和固体表面的高灵敏度超痕量元素分析
技术TXRF 和 GI-XRF
主要部件600 W X 射线源,大面积探测器 (SDD)
选项氮气或氦气替代
控制(电脑)外部电脑
机身尺寸697(宽)×691(高)×597(深)(毫米)
大量的100公斤(本体)
电源要求单相100-240V,15A
























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