法国IBS IMC210中束流离子注入机

离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器获得较高能量，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。

离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中*的关键装备。

特点：

l精确控制离子束流

l精确控制加速电压

l占地小, 操作简单, 运行成本低

l特别适合于研发应用

l适用于4”~6”晶片，小可用于1*1cm2样品（室温）

l4”热注入模式，高温度可达600度

l2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度

l1个Bernas离子源

l非凡的铝注入能力

l一个主气箱，配有4个活性气体管路；一个副气箱，配有4个中性气体管路

l高价样品注入能力

l注入角0~15度

lIBS*的矢量扫描系统

l手动装载/卸载用于标准注入和热注入，自动25片cassette 装载用于标准腔室

l远程操作控制接触屏（5米链接线缆）

l辐射低于0.6usv/hour

工艺性能

l2~210keV

l束流：4”晶片100keV时，大于900uA (As, P), 大于450uA (B)

l剂量范围：1*1011*1018~at/cm2

l片内非均匀性：1s<=1%(带有1000埃氧化层的4寸硅，注B，100kev，1*1014at/cm2

l片间均匀性：1s ≤ 1 %