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ALD R-200 PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版
- 型号
- ALD R-200
公司自成立以来就一直专注于半导体、微组装和电子装配等领域的设备集成和技术服务；目前公司拥有一支在半导体制造、微组装及电子装配等领域经验丰富的专业技术团队，专业服务于混合电路、光电模块、MEMS、先进封装（TSV、Fan-out等）、化合物半导体、微波器件、功率器件、红外探测、声波器件、集成电路、分立器件、微纳等领域。我们不仅能为客户提供整套性能可靠的设备，还能根据客户的实际生产需求制订可行的工艺技术方案。
目前亚科电子已与众多微电子封装和半导体制造设备企业建立了良好的合作关系（如：BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等），为向客户提供先进的设备和专业的技术服务打下了坚实基础。
详细信息
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版
（PICOSUN™ ALD R-200 Standard）
名称：原子层沉积系统 产地：芬兰
Picosun简介
Picosun是yi家公司，Picosun的总部位于芬兰的Espoo，其生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括 大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及 先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有du特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引 行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。
Picosundu特的突破性ALD专业知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法，并在工业上获得了 。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有的ALD经验，并且为ALD的许多 做出了贡献。
PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现ji佳的均匀性，包括 具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度 小的薄膜层。在 基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个du立的，*分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列du特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
PICOSUN®R-200标准
PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领dao者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。
敏捷的设计实现了 高质量的ALD薄膜沉积以及系统的 终灵活性，可以满足未来的需求和应用。 的热壁设计具有*du立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在 具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。
技术指标
衬底尺寸和类型 | 50 – 200 mm /单片 |
大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺） | |
156 mm x 156 mm 太阳能硅片 | |
3D 复杂表面衬底（使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳） | |
粉末与颗粒（配备扩散增强器） | |
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品 | |
工艺温度 | 50 – 500 °C, 可选更高温度（真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C） |
基片传送选件 | 气动升降（手动装载） |
预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ） | |
前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源 |
4根du立源管线， 多加载6个前驱体源 | |
对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar)，用氮气等载气dao入前驱体瓶内引出 | |
重量 | 350kg |
尺寸（ W x H x D)） | 取决于选件 |
小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
选件 | PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集 |
成（用于惰性气体下装载）。 | |
验收标准 | 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
应用领域
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料 | 非均匀性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13% |
SiO2 (batch) | 0.77% |
TiO2 | 0.28% |
HfO2 | 0.47% |
ZnO | 0.94% |
Ta2O5 | 1.00% |
TiN | 1.10% |
CeO2 | 1.52% |
Pt | 3.41% |
