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感应耦合等离子体刻蚀机-武汉赛斯特
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感应耦合等离子体刻蚀机技术
1. 设备主要原理与功能
设备利用射频天线，通过感应耦合方式在放电腔中产生高密度等离子体，刻蚀工作台同时引入射频偏压，在射频偏压作用下，等离子体垂直向下对未被掩蔽的被刻蚀材料表面进行物理轰击，并与材料表面发生化学反应，达到对样品进行化学物理相结合刻蚀的目的。
2. 设备组成结构
设备主要由高真空刻蚀室、真空获得系统、真空测量系统、恒压系统、电源系统、感应耦合电极与匀气系统、射频偏压电极、水冷升降工件台、气路系统、电气与全自动控制系统、安全保护及自动报警系统等部分组成。
3. 设备主要用途与特点
u 设备适用于大学、研究院所、企业研发机构通用的感应耦合等离子体刻蚀的科研与教学。
u 设备刻蚀材料广泛，包括并不限于单晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等。
u 采用新型柱状耦合电极结构，气体离化率与等离子体密度更高。
u 可自动在线调节刻蚀距离，适合不同工艺特性。
u 带有自动压力控制系统，刻蚀工艺更稳定。
u 设备采用全自动化控制。
4. 设备主要技术指标
4.1 腔体尺寸：Φ300mm*H300mm，经氧化处理的铝质桶形卧式结构，上盖自动开闭。
4.2 极限真空度：≤5×10-4Pa；
4.3 系统漏率：5×10-7Pa.l/s；
4.4 静态升压：系统停泵关机后12小时后，真空度≤5Pa
4.5 系统进清洗充干燥N2解除真空，短时暴露大气后抽气抽至5×10-3Pa时间小于20min，至9×10-4Pa≤40min。
4.6 射频阴极尺寸：Φ200mm。
4.7 刻蚀均匀性：≤±5%（Φ6英寸）
4.8 主要工艺气体配置：SF6、CHF3、CF4、O2、Ar、N2（视具体刻蚀工艺）
4.9 电源配置
u 耦合电极（上电极）：13.56MHz，1000W，自动匹配
u 偏压电极（下电极）：13.56MHz，600W，自动匹配
4.10 自动压力控制系统：包含
4.11 刻蚀距离自动调节范围：20mm-80mm，调节精度：1mm
4.12 水冷工作台温度：<15℃
4.13 腔壁冷却：包含
4.14 控制方式：基于PLC及工控机的全自动、半自动控制方式
4.15 包含安全报警系统
5. 设备主要配置
5.1 真空刻蚀腔体、样品架系统、一体机架、辅助设施，1套（定制）
5.2 分子泵1台，抽速600L/s（北京中科科仪KYKY）
5.3 直连旋片式真空泵1台，抽速8L/s（日本真空独资宁波爱发科）
5.4 超高真空电动调节插板阀1台，Φ150mm（北京中科科仪KYKY）
5.5 真空测量系统1套（成都睿宝/成都正华）
5.6 自动压力控制系统1套（创世威纳），含进口薄膜真空计（德国INFICON）。
5.7 射频电源及自动匹配器： 1000W，1套（美国ceres）；600W，1套（美国ceres）
5.8 质量流量控制器：6台（北京七星华创）
5.9 工艺气路：6条（定制配套）
5.10 射频耦合电极及射频引入器1套（定制）
5.11 可调距离射频阴极及射频引入器1套（定制）
5.12 自动控制系统1套。PLC及模块（德国西门子）、工控机（研华工控）、显示器（飞利浦）
5.13 空气压缩机1台（上海岱洛）
5.14 冷却循环随机1台（同洲维普）
6. 设备外形尺寸、重量
L1200mm*W900mm*H1600mm，500Kg
7. 设备使用条件
7.1配电箱：
AC380V 60A 5KW三相四线制。
留有380V 40A空开一个。
AC220V 10A三头万能插座一个。
AC220V 16A三头万能插座一个。
7.2排气接口：∮40mm接口两个。
7.3接地要求：接地电阻≤4Ω。
7.4工艺气体进气口规格：1/4″不锈钢管，双卡套连接。
7.5工艺气体与配套减压阀（视工艺而定）。例如：O2、Ar、N2等。
感应耦合等离子体刻蚀机-武汉赛斯特
感应耦合等离子体刻蚀机-武汉赛斯特
