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ICP-2B型标准电感耦合等离子体刻蚀机
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详细信息
一. 系统描述
本设备为单室高真空系统，它主要由真空系统、气路系统、电气系统、射频电源系统、冷却系统、报警系统等组成。
真空系统由一个分子泵（抽速600升/秒）+ 一个直联旋片式真空泵（抽速9升/秒）组成抽气系统, 将真空室抽至高真空, 分子泵与真空室之间装有一个手动插板阀, 直联旋片式真空泵为真空室予抽泵及分子泵前级泵。直联旋片式真空泵与真空室之间及与分子泵之间均采用不锈钢硬管及波纹管连接, 并装有电磁气动隔断阀。
射频电源采用国产双电源控制。
气路系统采用四个质量流量控制器控制四路气体进气。气体管路采用1/4英寸不锈钢硬管，管路接头连接形式采用双卡套连接。
本设备设有安全保护及报警系统。
二. 技术指标
1.极限真空度: 9×10-5Pa（环境湿度≤55%）
2. 刻蚀材料: Si, SiO2, Si3N4等
3. 刻蚀速率： 0.01 ~ 2μ/min
4. 刻蚀均匀性: ≤±5％ (φ120mm范围内)
5. 电极尺寸: φ200mm
6. 反应室尺寸：φ300×280mm
三．设备配置
1. 真空泵源: 分子泵一台（抽速600升/秒）
直联旋片式真空泵一台（抽速9升/秒）
2.真空阀门： 150口径气动插板阀壹个
40口径高真空电磁气动隔断阀两个
机械泵口压差阀壹个
3. 射频功率源: 射频电源(国产)二套
4. 气路系统: 四台质量流量计（国产）控制四路进气
5. 真空测量： 复合真空计一台
ICP-2B型标准电感耦合等离子体刻蚀机
ICP-2B型标准电感耦合等离子体刻蚀机
