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CRESTEC 无掩膜电子束曝光机
- 型号
- CRESTEC
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公司自成立以来就一直专注于半导体、微组装和电子装配等领域的设备集成和技术服务；目前公司拥有一支在半导体制造、微组装及电子装配等领域经验丰富的专业技术团队，专业服务于混合电路、光电模块、MEMS、先进封装（TSV、Fan-out等）、化合物半导体、微波器件、功率器件、红外探测、声波器件、集成电路、分立器件、微纳等领域。我们不仅能为客户提供整套性能可靠的设备，还能根据客户的实际生产需求制订可行的工艺技术方案。
目前亚科电子已与众多微电子封装和半导体制造设备企业建立了良好的合作关系（如：BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等），为向客户提供先进的设备和专业的技术服务打下了坚实基础。
详细信息
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)
电子束直写系统 、 电子束曝光系统
CABL-9000C series
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪纳米科技提供 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm，小束斑直径2nm，套刻精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技术参数：
1.小线宽：小于10nm（8nm available)
2.加速电压：5-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm
主要特点：
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。
