我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍，并解决了物料不均匀堆积现象。

 与传统CVD系统比较，生长温度更低。

 使用滑轨炉实现快速升温和降温。

 设备*的技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长。

主要特点：

1.薄膜沉积速率高：射频辉光技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S；
2. 大面积均匀性高：采用了*的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；
3. 一致性高：用半导体行业的*设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；
4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定；

技术参数：

1、单温区加热系统：

2、PE射频电源：

该CVD系统可配备PE射频电源，将CVD系统升级为PECVD。当参与反应的气氛进入炉管在射频电源的作用下产生离子体，可使反应更加充分。同时等离子体起增强的作用，从而很大程度上优化实验的工艺条件。

3、五路质子流量控制系统：

供气系统是一种可控制4种气体按不同流量进行混合配比，也可根据实验需求加装洗气装置，质量流量计安装于密封的可移动机柜内，由超洁双抛不锈钢管与精密双卡套接头连接组成，触摸屏控制。

4、真空机组：

真空机组，内部安装双极旋片机械泵1台，电容真空计1套，并含有配套使用的波纹管，手动挡板阀，卡箍等连接部件。设备冷态极限真空可达0.5Pa。

5、压力控制系统：

压力控制系统主要部件蝶阀、压力控制器、电容真空计组成。

压力控制系统的作用：根据实验要求，在出气端和泵之间增加蝶阀（调节阀）和真空计，真空计可检测管内压力，通过 PLC 调节蝶阀（调节阀）开启的大小，以达到控制管内压力不变。

压力可范围：100~100000Pa

控制精度：测量值±5%