1. 产品概述

Canon FPA5000 ES4扫描式光刻机，光源波长248nm，分辨率优于0.13µm，用于6寸、8寸及12寸生产线，广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等域。

2. 设备特点

主要技术指标，分辨率0.13µm，N.A.0.5-0.8，曝光光源248nm，倍率4:1，最大曝光现场26mm*33mm，对准精度25nm。半导体器件制造中最重要的步骤是光刻，其中电路图形通过精密半导体光刻设备（通常称为步进机或扫描仪）从掩模转移到晶圆或面板。

佳能开发了一系列半导体光刻设备，旨在满足除传统半导体晶圆加工之外的广泛应用的技术要求。

半导体芯片（也称为集成电路，Integrated Circuit, IC）生产主要分为 IC 设计、 IC 制造、 IC 封测三大环节。 IC 设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。 IC 制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现目标芯片功能，包括化学机械研磨、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入等步骤。 IC 封测完成对芯片的封装和性能、功能测试，是产品交付前的最后工序。