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G10-碳化硅 碳化硅沉积系统
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深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。
致力于提供半导体前道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。
公司目前已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。
1 产品概述:
碳化硅沉积系统是一种专门用于生产碳化硅(SiC)材料的设备,它采用化学气相沉积(CVD)或其他相关技术,在特定条件下将碳和硅元素以气态形式引入反应室,并通过化学反应在基底上沉积形成碳化硅薄膜或晶体。该系统在半导体、光伏、新能源汽车等行业中具有广泛应用,是制备高性能碳化硅器件的关键设备之一。
2 设备用途:
半导体行业:用于制备碳化硅基功率器件,如MOSFET、肖特基二极管等,这些器件在电动汽车、光伏逆变器、轨道交通等领域具有重要应用。
光伏行业:在光伏逆变器中使用碳化硅功率器件可以提高太阳能转化效率,降低系统成本。
新能源汽车:碳化硅功率器件在电动汽车的电机控制器、电池管理系统等关键部件中发挥着重要作用,有助于提高车辆性能、降低能耗。
3. 设备特点
化合物半导体沉积系统通常具备以下特点:
高精度与均匀性:
碳化硅沉积系统能够实现高精度的沉积控制,确保薄膜或晶体的厚度、成分和结构的均匀性。
这对于提高器件的性能和可靠性至关重要。
多功能性:
系统支持多种沉积方法和工艺参数调整,以满足不同材料和器件的制备需求。
可以制备出具有不同电阻率、热导率等特性的碳化硅材料。
高温与稳定性:
碳化硅沉积过程通常需要在高温条件下进行,系统需要具备稳定的高温控制能力和良好的热传导性能。
高温环境有助于促进化学反应的进行和碳化硅晶体的生长。
4 设备参数:
· 运行 4 个系统,用于 150/200 mm SiC 工艺开发
· 由德国弗劳恩霍夫研究所(Fraunhofer Institute)提供支持的全面材料表征能力
· 通过碳化硅工艺演示/开发和培训为客户提供支持
· 150 mm 和 200 mm – 支持双晶圆尺寸 – 为您的未来投资提供保障
· 市场上高的晶圆产量 / m2