$item.Name

首页>半导体行业专用仪器>薄膜生长设备>原子层沉积设备

ALD-150LX™ 原子层沉积ALD

型号
ALD-150LX™
参数
价格区间:面议 应用领域:化工
深圳市矢量科学仪器有限公司

中级会员3年 

经销商

该企业相似产品

部件镀膜设备

在线询价

薄膜沉积镀膜系统

在线询价

原子层沉积ALD

在线询价

金属有机化学气相沉积MOCVD

在线询价

金属化学气相沉积MOCVD

在线询价

金属有机化学气相沉积

在线询价

原子层沉积ALD

在线询价

原子层沉积ALD

在线询价
冷热台,快速退火炉,光刻机,纳米压印、磁控溅射,电子束蒸发

深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。

致力于提供半导体前道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。

公司目前已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。








详细信息

Kurt J. Lesker Company (KJLC) ALD150LX™是一种原子层沉积 (ALD) 系统,专为高级研发 (R&D) 应用而设计。创新的ALD150LX设计功能,如我们的前驱体聚焦技术™,以及我们超高纯度 (UHP) 工艺能力等进步技术,提供了灵活性和性能。该ALD150LX强调在研发层面启用和支持创新的技术,不仅作为一个独立的平台,而且在集群工具配置中提供与其他过程和分析模块的连接。®®

ALD150LX集群工具的连接性消除了关键过程和分析步骤之间不必要的大气暴露,从而保护敏感的表面、层及其界面。这种连接性包括集成额外的原子层沉积和分析模块,以及其他 KJLC 薄膜沉积技术,以实现业内多技术工艺和分析能力和支持。结合质量、灵活性和性能,以及多种技术处理和分析能力,使ALD150LX成为创新的设计。

LD150LX工艺室可以配置为纯热或等离子体增强 ALD。金属和差速泵弹性体密封件的组合可防止大气成分(即 N2、O型2和 H2O)从进入底物所在的反应区,从而促进了UHP工艺环境。特别是,UHP条件降低了背景氧杂质的水平,从而限制了高质量非氧化物基材料及其界面在薄膜生长之前、期间和之后的暴露。在氧化膜生长过程中,氧杂质也是寄生性CVD的来源。我们垂直流设计可实现分离、均匀的前驱体输送,并促进前驱体利用率的提高以及服务间隔之间的平均时间延长。为避免不必要的材料在输送通道内积聚和颗粒形成,四个独立的腔室入口(不包括等离子体)可用于前驱体分离。例如,可以使用单独的入口来分离金属有机前体和共反应物,以防止在输送管线和阀门中沉积。

  • 等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 配置可选

  • 金属和差速泵弹性体密封件的组合,可实现 UHP 工艺条件

  • 全层流和惰性气体扫除死区可保持反应器清洁,减少释气和虚拟泄漏

  • 用于原位椭圆偏振仪的分析端口(70° 入射角)(椭偏仪可选)

  • 四条独立的独立加热入口管路,用于前驱体输送,防止输送通道中不必要的积聚

  • 独立的基板加热器平台和外腔壳体,可实现出色的温度控制和均匀性

  • 304L不锈钢结构

  • 可访问、低维护的设计

我们获得前驱体聚焦技术™ (PFT™) 将非活性帘式气体屏障与集中式前驱体输送和泵送相结合,以最大限度地减少与工艺室侧壁的相互作用,并将前驱体排除在腔室端口之外,从而提高前驱体利用率并延长维护间隔。用于椭圆仪集成的分析端口是ALD150LX的标准功能(椭偏仪可选)。基材(直径达 150 mm)通过水平装载口引入。一旦进入内部,垂直销升机构就用于通过拾取基板并将其直接放置在基板加热器级的表面上来完成转移。



相关技术文章

同类产品推荐

相关分类导航

产品参数

价格区间 面议
应用领域 化工
企业未开通此功能
详询客服 : 0571-87858618
提示

请选择您要拨打的电话:

当前客户在线交流已关闭
请电话联系他 :