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ALD-150LE™ 原子层沉积ALD
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深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。
致力于提供半导体前道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。
公司目前已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。
Kurt J. Lesker Company (KJLC) ALD150LE™是我们但极其灵活的原子层沉积 (ALD) 系统,专为入门级到中级用户而设计。该ALD150LE™配置为纯热原子层沉积,工艺室设计促进了均匀的母离子分散和输送。加热和温度控制进一步增强了系统性能。总体而言,该ALD150LE™在紧凑的设计中提供了的灵活性和性能,而不会牺牲可维护性。
该ALD150LE™配置为纯热原子层沉积,我们的垂直流设计可实现分离、均匀的前驱体输送,同时降低背景杂质水平,从而提高薄膜质量。为避免不必要的材料在输送通道内积聚和颗粒形成,有两个独立的腔室入口可用于前驱体分离。例如,可以使用单独的入口来分离金属有机前体和共反应物,以防止在输送管线和阀门中沉积。
两个独立的进样口,用于前驱体输送,可防止输送通道中不必要的积聚
开放式装载室经过精心设计,可最大限度地减少由于密封脱气和渗透引起的背景杂质
独立的基板加热器平台和外腔壳体,可实现出色的温度控制和均匀性
304L不锈钢结构
可访问、低维护的设计
ALD150LE™开路负载设计允许在样品引入过程中将基物(直径最大为 150 mm)直接放置在基板加热器台上。在随后的原子层沉积(ALD)处理过程中,集中式母离子输送和泵送建立了一个屏障,将下游腔室密封的杂质挡在反应区之外。弹性体腔密封件在下游的战略定位可使杂质(由于密封件释气和渗透)远离基材表面,从而提高 ALD 薄膜质量。特别是,这是在开放式负载室设计中获得高质量氮化物膜的一个重要特征。