技术参数

1.等离子体源&电源：
•圆形等离子体源 
    􀁸100 up to300 mm 等离子体源
•矩形等离子体源
    􀁸长度: up to 500 mm (up to 2,000 mm for large planar area deposition)
•电源
    􀁸射频发生器：频率13.56 MHz
    􀁸电源: 600 -2,000 W (up to 10 kW) for ICP Module
                                  300 -600 W for Substrate Bias

2.薄膜沉积控制：
•膜厚监控和沉积时间可通过计算机程序控制
•薄厚监控和沉积速率可通过计算机程序控制 
    􀁸支持大面积沉积（如：氧化硅、氮化硅等） 
    􀁸也可用于太阳能电池领域
•质量流量和自动压力控制 
    􀁸质量流量控制器：各种气体 
    􀁸Baratron真空规：等离子体处理 
    􀁸节流阀和控制器

3.真空室：
•圆柱形腔体
    •直径: φ300 ~ 600 mm (Substrate : 100 to 300 mm)
    •高度: 400 mm
•方形腔体 
    •根据客户的需求定制

4.真空泵和测量装置：
•低真空: 干泵，增加泵和Convectron真空规
•高真空: 用于刻蚀的涡轮分子泵和离子规

5.控制系统：PLC, 触摸屏计算机控制