FPANG-DUV-VIS-NIR-深紫外-可见-近红外多波段椭偏仪_椭偏仪-孚光精仪（中国）有限公司手机版

详细介绍

深紫外-可见-近红外多波段椭偏仪是覆盖190nm-1700nm光谱范围的DUV-VIS-NIR光谱椭偏仪,非常适合超薄薄膜厚度测量,纳米薄膜膜厚测量应用。
DUV深紫外椭偏仪特别适合测量超薄薄膜，如纳米厚度薄膜,典型例子是硅晶片上的自然氧化物薄膜，其薄膜厚度通常仅为约1nm-2nm。
DUV深紫外椭偏仪还很适合测量许多材料的带隙。
可见近红外范围VIS-NIR椭偏仪用于测量相对较厚的薄膜,也适合测量薄膜的光学常数。
深紫外-可见-近红外多波段椭偏仪产品特色
使用基于Windows的软件易于操作
**的光学设计，实现***佳系统性能
用于宽带应用的高功率DUV-VIS-NIR光源
基于阵列的探测器系统，确保快速测量
用户可以定义任意数量的图层
可用于实时或在线厚度、折射率监测
系统配有全面的光学常数数据库和库
**的TFProbe 3.3.X软件允许用户对每张胶片使用NK表、色散或有效介质近似（EMA）。
三种不同的用户级别控制：工程师模式、系统服务模式和易用用户模式
灵活的工程师模式，用于各种配方设置和光学模型测试
强大的一键式（交钥匙）解决方案，用于快速和常规测量
可配置的测量参数、用户偏*和易于操作
系统的全自动校准和初始化
直接从样品信号获得精确的样品对准接口，无需外部光学元件
精确的高度和倾斜调节
适用于多种不同厚度的基材
各种选项，可用于特殊配置的配件，如标测台、波长扩展、焦点等。
2D和3D输出图形和用户友*的数据管理界面
深紫外-可见-近红外多波段椭偏仪规格参数

型号和波段	SE200 (DUV-Vis)	SE300 (Vis)	SE450 (Vis-Nir)	SE500 (DUV-Vis-Nir)
探测器类型	CCD或CMOS阵列	CCD或CMOS阵列	CCD或CMOS和InGaAs阵列	CCD或CMOS和InGaAs阵列
波长范围	190-1100nm	370-1100nm	370-1700nm	190-1700nm
波长数据点	测量波长范围和波长数据点均可订购时选配（数据点仅受分辨率限制）
波长分辨率	0.01-3nm	0.01-3nm	0.01-3nm	0.01-3nm
光学选配	根据应用或客户偏*进行步进扫描或旋转偏振器/分析仪/减速器；使用PCSA或PSCA配置，可以测量完整的360度模型；还提供PCSCA双减速器配置，用于16个全元件（4x4）Mueller Matrix测量
数据采集时间	100ms-10s,用户可定义
入射角范围	20-90度
入射角分辨率	5度-手动型调整配置 0.001度-自动型椭偏仪配置（用订购可选）
偏光器件	起偏器，检偏器等
光斑尺寸	1-5mm孔径可调
光源	(D2+TH)/Xe	TH	TH	(D2+TH)/Xe
灯泡寿命	4000 hrs.	10000 hrs.	10000 hrs.	4000 hrs.
可测薄膜厚度	***高30 µm	20nm-50 µm	20nm-50 µm	***高50 µm
测厚分辨率	< 1Å or 0.1% (with 200 Å thick SiO2onSi Standard, precision better than 0.2 Å)
折射率精度	0.0001
测厚精度	0.25%
系统角度精度	UV-Vis Range: Psi 45° ± 0.05°, Delta 0° ± 0.1° ; NIR Range: Psi 45° ± 0.1°, Delta 0° ± 0.2°
样品台	黑色阳极氧化铝合金真空吸盘，通常直径为150x150mm或200mm；其他尺寸（如450mm）可根据要求或基于自动映射行程范围进行配置
Z-位移台	精密Z台，典型行程范围为12mm，用于样品高度调节，电动Z台是可选的，行程范围可定制高达50mm（~2英寸）
Tilting倾斜校准	三点倾斜手动对准机构通常配备非标测工具，电动自动倾斜可作为选项；对于自动测绘工具，提供无需进一步倾斜调整的预调平平台。
软件	标配
接口	USB
操作系统	Both 32bit and 64 Bit, Win XP, 7, 8, 10,11
计算机配置建议	Intel i5, 500 GB space, 8GB RAM; 24” LCD Monitor or equivalent Laptop
供电要求	110– 240 VAC /50-60Hz, 3A
平台	桌面式或原位配置
重量/尺寸	~ 75kg / 38(L)x22(D)x34(H)”

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