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碳化硅SiC长晶设备
是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。可以生长6/8英寸的晶锭。
碳化硅SiC长晶设备
真空炉腔系统较为限本底真空值达到≤5.0E-5Pa，升压率≤3Pa/12h，保证晶体生长的稳定性
．智能化生长及监测系统，实现多种制程精确定制，工艺优化，长晶全过程实时监控，数据可视化存档
．新型感应加热线圈设计，有效提高热场加热的均匀性和稳定性
．业内1st创的PIM自检系统，有效减免制程时间浪费
．稳定可靠的水冷系统，实现了水道管路温度、流量的实时监控，保证了生长室温场的稳定性
．可生产6英寸P级碳化硅衬底，微管缺陷密度＜0.5个／cm2，电阻率达0.015-0.0280
