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BW-IFSM/ITSM 浪涌测试系统半导体功率测试
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生产厂家陕西博微电通科技有限责任公司是一家致力于高精度半导体测试设备、电力电子设备、电池安全管理系统及电力储能解决方案的集研发、生产、销售的高科技企业。
公司位于古城西安西咸新区沣东新城能源金贸区,地理位置环境*,依托西安众多高校及研究所,公司拥有一批高素质人才队伍,从软件开发、硬件设计、系统集成、产品升级迭代及售后服务均由专业技术人员完成,多年来公司与深圳、西安、杭州等多家高科技企业合作开发出针对半导体测试、电力电子、能源管理系统系列产品,经过技术迭代,产品功能全面,产品质量可靠,市场口碑优秀。
公司注重产品质量,更注重客户服务满意度及产品体验,每一款产品出厂前都经过严格的检验或第三方机构监测,并持续优化产品功能、根据客户需求定制或迭代升级产品。我们秉承“博厚共赢、服务入微”理念竭诚为每一位客户提供可靠的、高品质的产品与服务,帮助解决客户实际使用痛点,开发难点,节约生产成本提高工作效率,助力行业发展。
半导体测试系统:(Semiconductor test system)
针对Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半导体测试产品,广泛应用于半导体企业测试计量、封装测试、IDM测试、晶圆测试、DBC测试以及科研教学、智能电力、轨道交通、新能源汽车、白色家电等元器件应用端产业链的来料检验、器件选型及科研及院所、实验室的数据验证分析和研发指导等。
半导体测试设备可针对Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可进行高精度静态参数测试(包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数)测试精度可达16位ADC;动态双脉冲(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA测试等;环境老化测试(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/间歇寿命IOL/功率循环PCT3000 )及热特性测试(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半导体器件测试设备/雪崩耐量测试UIS、二极管浪涌测试IFSM、热阻测试、晶闸管直流参数测试SCR、安全工作区正偏/反偏/短路安全工作区测试SOA,各类型探针台、高精度高低温箱及分立器件分选机系统等。
电池安全管理及储能:(Battery safety management and energy storage system)
电池安全管理系统主要是针对电池、蓄电池组、储能系统安全及应用电池全生命周期系统解决方案,主要产品覆盖储能电池BMS、后备电池BMS、动力电池BMS和电池监控数据平台等,产品广泛应用于储能,云计算,数据中心,通信网络,轨道交通,以及商业和工业设施关键电源领域,将成为国家绿色能源转型重要系统保障。
BW-IFSM/ITSM
浪涌电流测试仪
BW-IFSM/ITSM浪涌电流测试仪是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,浪涌电流是指 电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电 流。BW-IFSM/IT 型浪涌电流试验台的测试方法符合 JB/T7626-2013 中的相关标准。本系 统通过电容电感值谐振放电产生的电流波,结合上位机测试软件,最后输出测试要求 的电流值,包含浪涌电流测试单元,阻断电压及漏电流单元和计算机控制。
产品用途:BW-IFSM/ITSM可用于各类二极管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌电流(IFSM)试验,包括三极管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。
二极管元件在实际使用中,除了能长期通过额定通态平均电流外,还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏,以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围,轻者引起元件性能变坏(如伏安特性、通态峰值电压的变化),重者造成烧毁穿通而失去反向阻断能力。通过浪涌过载电流测试合格的器件,可以大大提高其在使用中的可靠性。
技术指标:
> 浪涌电流(IFSM/ITSM)调节范围:0.30~3.60kA
> 分辨率0.01kA,精度±3%±0.01kA
> 电流波形:正弦半波,底宽10ms
> 测试频率:单次
> 反向电压(VRRM)调节范围:0.20~2.00kV,分辨率0.01kV,精度±5%
> 反向电压测试频率:50Hz;
> 反漏电流(IRRM)测试范围;1.0~100.0mA,分辨率0.1mA,精度±5%±0.1mA
工作方式:
> 由触摸液晶屏设定浪涌电流大小、反向电压值及反向漏电流保护值
> 按测试按键后设备自动完成测试
外形尺寸:
> 600×800×1900×1(宽×深×高×并柜数,单位:mm)
系统说明:
> 上述设备配置输出及测试线,但不含测试用“夹具”。该“夹具”用于满足元件按照标准进行测试时所要求的温度和压力测试条件。