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BW-UIS-3500 雪崩耐量测试功率半导体测试

型号
BW-UIS-3500
参数
价格区间:面议 应用领域:电子,航天,汽车,电气,综合
陕西博微电通科技有限责任公司

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生产厂家

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半导体测试设备,功率器件可靠性测试,热特性安全测试,储能及电力能源安全管理系统

陕西博微电通科技有限责任公司是一家致力于高精度半导体测试设备、电力电子设备、电池安全管理系统及电力储能解决方案的研发、生产、销售的高科技企业。

公司位于古城西安西咸新区沣东新城能源金贸区,地理位置环境*,依托西安众多高校及研究所,公司拥有一批高素质人才队伍,从软件开发、硬件设计、系统集成、产品升级迭代及售后服务均由专业技术人员完成,多年来公司与深圳、西安、杭州等多家高科技企业合作开发出针对半导体测试、电力电子、能源管理系统系列产品,经过技术迭代,产品功能全面,产品质量可靠,市场口碑优秀。

   公司注重产品质量注重客户服务满意度及产品体验每一款产品出厂前都经过严格的检验或第三方机构监测,并持续优化产品功能、根据客户需求定制或迭代升级产品。我们秉承“博厚共赢、服务入微”理念竭诚为每一位客户提供可靠的、高品质的产品与服务帮助解决客户实际使用痛点,开发难点,节约生产成本提高工作效率,助力行业发展。

半导体测试系统:(Semiconductor test system)

针对Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半导体测试产品,广泛应用于半导体企业测试计量、封装测试、IDM测试、晶圆测试、DBC测试以及科研教学、智能电力、轨道交通、新能源汽车、白色家电等元器件应用端产业链的来料检验、器件选型及科研及院所、实验室的数据验证分析和研发指导等。

半导体测试设备可针对Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可进行高精度静态参数测试(包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数)测试精度可达16位ADC;动态双脉冲(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA测试等;环境老化测试(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/间歇寿命IOL/功率循环PCT3000 )及热特性测试(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半导体器件测试设备/雪崩耐量测试UIS、二极管浪涌测试IFSM、热阻测试、晶闸管直流参数测试SCR、安全工作区正偏/反偏/短路安全工作区测试SOA,各类型探针台、高精度高低温箱及分立器件分选机系统等。

电池安全管理及储能:(Battery safety management and energy storage system)

电池安全管理系统主要是针对电池、蓄电池组、储能系统安全及应用电池全生命周期系统解决方案,主要产品覆盖储能电池BMS、后备电池BMS、动力电池BMS和电池监控数据平台等,产品广泛应用于储能,云计算,数据中心,通信网络,轨道交通,以及商业和工业设施关键电源领域,将成为国家绿色能源转型重要系统保障。

 

 

详细信息


BW-UIS-3500

半导体雪崩耐量测试仪


BW-UIS-3500半导体雪崩耐量测试仪雪崩能量测试系统是专门设计测试 IGBT 、二极管、SiC 系列 MOS 管的测试设备, 该设备主要组成单元有:泰克示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感 器、雪崩保护电压控制、IGBT 功率器件、IGBT 器件过压、过流保护电路、计算机程控 系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器等。测试 方法参考 MIL-STD-750F.3470,测试电流 0.1-200。

技术指标:

进线电压:AC220V±10%

功率消耗:1.5KW

电源电压VDD:10-200V 分辨率 1V,误差 3%

雪崩电压V(BR)DUT:100-3500V 实测范围值(根据客户要求可定制)

雪崩能量EAS:实测 1-10J  实测计算值

雪崩电流IAS:1.0-200A  实测值。分辨率 1V,误差 3%(根据客户要求可定制测试范围)

电感 L:0.1-100mH 任选测试值,测试过程自动执行,误差 5%

雪崩电压波形:近似方波

脉冲宽度:10uS-10000uS

测试频率:单次、步进

系统说明:设备的所有工作程序,工作时序,开关的动作状态,数据的采集等均由 计算机完成。工业控制机,具有抗电磁抗干扰力强,排风量大等特点

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价格区间 面议
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