$item.Name
$item.Name
$item.Name

首页>半导体行业专用仪器>光刻及涂胶显影设备>有掩模光刻机

URE-2000/17/25/35/34AL 紫外光刻机

型号
URE-2000/17/25/35/34AL
北京中科复华科技有限公司

免费会员 

代理商

该企业相似产品

杜邦 刻蚀残留物去除液

在线询价

紫外光刻机

在线询价

热阻/电子束蒸发镀膜机设备

在线询价

化学气相沉积(PECVD)

在线询价

磁控溅射镀膜设备

在线询价

离子束刻蚀机(IBE)

在线询价

反应离子刻蚀机(RIE)

在线询价

感应耦合等离子体刻蚀机(ICP)

在线询价
纳米图形发生器,离子束刻蚀/反应离子刻蚀/感应耦合等离子刻蚀 磁控溅射/气相沉积/电子束蒸发镀膜、ALD/MBE/MOCVD 光刻机、去胶设备等

北京中科复华科技有限公司是一家致力于为半导体领域和微纳米科学领域提供综合性解决方案,为全国各大高校、科研院所及企事业单位提供的半导体设备仪器和微纳米科学仪器,拥有一支经验丰富、技术过硬的技术团队。能够出色地完成售前、售中、售后的服务。   未来公司将不断和引进在微纳米科学领域中起重要作用的新仪器和新产品,同时也与全国各所的大学、学院和科研院所建立了良好的合作关系,致力于把具有市场前景的科研成果推向市场。愿与中、外同仁广泛合作, 为中国的教育与科研事业在广范围、高层次上提供服务。 

详细信息

1. 技术参数

UV光源:进口LED模块

曝光中心波长:365nm

光源平行性:

曝光分辨率:0.8um-1um

曝光能量密度:>35mW/cm²可调

照度不均匀性:≤2.5%(150mm范围)

曝光面积:160mm*160mm

光源寿命:2万小时

曝光设定:定时

曝光头工作模式:曝光位对准位自动切换(前后移动)

套准精度:±0.8-1 um

可执行曝光模式:真空接触、硬接触、压力接触、接近式,

间隙设定方式:数字设定曝光间隙,自动分离和消除间隙

样片、掩模版相对移动范围:X: ±5mmY: ±5mmθ=±6º

掩模版找平方式:球气浮自动找平

可支持掩模版尺寸: 3″×3″4″×4″5″×5″7″×7″ 各一件

标配承片台 2英寸、3英寸、4英寸6英寸

标准配件可兼容样片厚度:0.1-6mm,其他尺寸可定制

可设计工作厚度:50mm

双目双视场对准显微镜或者光学镜头+CCD+显示器:可通过目镜目视对准,也可通过CCD+显示器对准,光学合像,光学倍数400倍,光学+电子放大800倍,物镜三对:4倍、10倍、20倍,目镜三对:10倍、16倍、20倍

双物镜可调距离范围:30mm-120mm

显微扫描范围:Y:±40mm电动,数字设定)

  设备尺寸:≤700mm


相关技术文章

同类产品推荐

相关分类导航

产品参数

企业未开通此功能
详询客服 : 0571-87858618
提示

请选择您要拨打的电话:

当前客户在线交流已关闭
请电话联系他 :