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DISC-IBE-150C/200C 离子束刻蚀机（IBE）
- 型号
- DISC-IBE-150C/200C
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详细信息
应用方向：科研与教学
产品优势：负角度刻蚀降低反污染，热态、冷态两种中和系统，刻蚀腔体前后开门
产品配置：
★离子源种类：考夫曼离子源
★离子源口径：Φ160mm/220mm
★中和方式：灯丝、冷态等离子体桥
★样片数量及尺寸：1片Φ100mm/150mm样品
★刻蚀材料：包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。
★刻蚀腔体：高真空系统
★刻蚀不均匀性：±3%-±6%
★刻蚀速率：10-500nm/min（视具体材料与工艺）
★工作台：可旋转，可自传，可调距离，包含水冷
★工艺气路：1-2路
★束流检测：法拉第筒在线检测
★终点检测控制：可选配质谱仪
★操作模式：全自动+半自动控制
选型参考：DISC-IBE-150C（离子源口径160mm）；DISC-IBE-200C（离子源口径220mm）
