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起订量：
MBE 8000 分子束外延薄膜沉积系统
- 型号
- MBE 8000
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详细信息
1 产品概述：
分子束外延薄膜沉积系统（Molecular Beam Epitaxy, MBE）是一种先进的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学和半导体制造领域。该系统在超高真空环境中工作，通过精确控制分子束的喷射和沉积过程，在单晶基片上生长出高质量、均匀性好的外延薄膜。MBE系统通常由多个源炉、基片加热台、真空腔室、样品传递机构以及精密的控制系统组成。
2 设备用途：
半导体材料研究：MBE系统可用于制备高质量的半导体外延层，如硅、锗及其化合物半导体等，对于研究半导体材料的物理性质、电子结构以及开发新型半导体器件具有重要意义。
光电子器件制造：在光电子器件（如激光器、光电探测器等）的制造过程中，MBE系统可用于生长具有特定光学和电学性质的外延层，提高器件的性能和稳定性。
微纳电子学：MBE技术还可用于制备纳米结构材料，如量子点、量子阱等，为微纳电子学的发展提供重要的材料基础。
材料科学研究：MBE系统可用于研究材料生长过程中的动力学、热力学以及界面反应等机制，推动材料科学领域的发展。
3. 设备特点
1、超高真空环境：MBE系统工作在超高真空环境中，通常要求基础真空度达到1.0×10^(-10) Torr或更低，以确保分子束的纯净度和外延薄膜的质量。
2、精确控制：MBE系统能够精确控制分子束的喷射速率、沉积温度、沉积时间等参数，从而实现对外延薄膜厚度、成分和结构的精确控制。
3、高质量外延薄膜：由于MBE系统的工作环境和控制精度，其生长的外延薄膜具有质量、均匀性和低的缺陷密度，适用于制备高性能的电子和光电子器件。
4、综上所述，半自动双轴减薄机以其高精度、双轴研削单元、自动厚度测量和补偿系统、定制化工作台、操作灵活以及良好的兼容性等特点，在半导体制造、硅片加工、光学材料处理及薄膜材料制备等领域发挥着重要作用。
4 设备参数：
缺陷密度 | ≤ 50 /cm² |
厚度均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX） | ± 1.5% |
成分均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX） | ± 1.5% |
厚度均匀性 （AlAs/GaAs）SL （DDX） | ± 1.5% |
Si掺杂标准差均匀性 | < 3% |
谐振器的FP-Dip均匀性 | 3纳米 |
背景载流子密度 | 7×1014厘米-3 |
HEMT 电子迁移率 | 6000 平方厘米伏-1 平方@RT |
分子束外延薄膜沉积系统MBE 8000
厚度均匀性 InGaAs/GaAs 在 8×6'' 压板上超晶格厚度298Å +/- 2Å
谐振器晶圆在 8×6 英寸压板上的 Fabry-Perot 浸渍均匀性波长变化<3nm
电子迁移率 – 标准基氮化镓 HEMT电子迁移率 @ 77K178 000 cm²V-1 s-1
