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VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪
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详细信息
VTC-1HD-Z F2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪是多功能高真空镀膜设备，含单靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。
本机设置1个蒸镀加热舟，特别适合蒸镀对氧较敏感的金属膜（如Ti、Al 、Au等），加热舟上方有一个可旋转挡板；2只束源炉工位（标配1只束源炉）；1组流量计（氩气一组）带φ150玻璃观察窗。
产品名称 | VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪 | |
产品型号 | VTC-1HD-ZF2 | |
主要参数 | 1、真空室：φ324X330 极限真空6.0X10-4Pa（采用国产FF-150升涡轮分子泵+机械泵） 漏率：2.0x10-10Pa.m3/s 材料为304不锈钢焊接，电化学表面抛光处理。 活动处密封采用橡胶密封圈，不活动处密封采用铜密封圈密封。 动力传动采用磁耦合联动方式。 真空室一个磁控靶位、一组蒸发电极（两只）、2只束源炉工位（标配1只束源炉）。 1组流量计（氩气一组）带φ150玻璃观察窗，另预留C35法兰接口。 | |
2、溅射靶头：2吋（φ50.8mm） 工作真空度：10Pa~0.2Pa 靶材利用率：＞35%(标准3mm铜靶材，靶面真空度0.5Pa) MAX功率：＜240W（充分冷却） 绝缘电压：＞2000V（配套500W直流电源1个） | ||
3、电阻蒸发： 蒸发输出电压：AC 0-8V连续可调 极限蒸发电流200A 极限蒸发功率＜1.6KW 温度不可控，不可测。 | ||
4、束源炉：坩埚容量：3CC 加热温度：室温-700°C 加热温度可测、可调、可控。 控温精度：±0.5°C 标配石英坩埚，带挡板、热电偶。 电源功率：500W、36V | ||
5、样品台：φ120 温控：室温-500°C 转数：1-20rpm 样品台可手动升降，可调行程上限：50mm | ||
6、EQ-TM106-1膜厚仪 1)电源：DC 5V（±10%），MAX电流400mA 2)频率分辨率：±0.03Hz 3)膜厚分辨率：0.0136Å（铝） 4)膜厚准确度：±0.5%，取决于过程条件，特别是传感器的位置，材料应力，温度和密度。 5)测量速度：100ms-1s/次，可设置 6)测量范围：500000Å（铝） 7)标准传感器晶体：6MHz 8)计算机接口：RS-232/485串行接口（波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可设置，数据位：8，停止位：1，校验：无） 9)模拟输出：8比特分辨率，PWM脉宽调制输出（集电极开路或内部5V输出） 10)工作环境：温度0-50℃，湿度5%-85%RH，不得有冷凝水珠 11)外形尺寸：90mm×50mm×18mm | ||
7、设备标配冷水机组1台（KJ5000型），客户自备冷水机及去离子水或纯净水。 | ||
8、整机电源输入：AC220V/50Hz。功率＜3.5KW。 | ||
9、产品规格： 尺寸：约1300mm×660mm×1200mm； 重量：约160 kg |   | |
