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6EZ晶圆载具设计的优势:
·Revasum拥有多年研磨和抛光超硬材料(如SiC)的经验
·6EZ SiC抛光机是市场上仅有的一款专门为抛光SiC基片而设计的SiC CMP工具
·竞争对手的抛光机基本上是为抛光硅集成电路而设计的,这有一套非常不同的要求
·6EZ与其竞争对手之间最重要的区别在于晶圆载具的设计
布局和功能:
综合清洁站
·向晶圆的上表面和下表面分配1或2中清洁化学品
·高压喷淋棒(10psi)
晶圆翻转
·湿式机器人实现双面抛光
湿式转运站
·DIW和化学冲洗
三台200rpm抛光台,带抛光台和抛光垫冷却(5ºC)
·专用载体、护垫调节剂和护垫清洁剂
·两种浆料的流量控制器
·每张桌上的化学清洁剂(第三种浆料可选)
浆料分配臂
调节臂和盘片
优化晶圆载体
·基于经验证的ViPRR技术的设计
晶圆处理
·全自动C2C晶圆
·边缘抓握干式机器人搬运
·最多50片晶圆,无需操作员干预
晶圆载体对照表
项目 | 6EZ(板+万向节) | 竞争对手(薄膜) | 影响 |
晶圆载体设计 | 板+万向节设计(适用于SiC) | 基于膜的设计(适用于硅薄膜) | 6EZ从头开始为SiC设计 |
抛光下压力 | 更高的"抛光下压力"(设计强劲,无RR力) | 较低的"抛光下压力"(薄膜较弱,RR力降低抛光力) | MRR |
可靠性 | 稳健设计,可靠性高 | 膜可能会意外失效(破裂) | 正常运行时间,成本(膜成本高) |
扣环设计 | 扣环不接触抛光垫;没有晶圆溢出 | 扣环上的下压力较大(需要保持晶圆) | |
下压力 | 更高的"抛光下压力"(100%的力用于晶圆) | 较低的"抛光力"(超过RR所用力的一半) | MRR |
扣环磨损 | 衬垫上最小的RR磨损可延长实用寿命 | 高RR磨损率降低使用寿命 | 正常运行时间,成本 |
衬垫磨损 | 延长极板寿命 | RR摩擦缩短衬垫寿命 | 正常运行时间,成本 |
衬垫调节 | 所需的衬垫调节时间更短 | 需要更多的衬垫调节时间 | 正常运行时间,成本 |
热量产生 | 扣环摩擦不会产生热量 | 必须清除挡圈摩擦产生的热量 | 薄膜设计具有更高的衬垫过热风险(工艺风险) |
区域控制 | 晶圆上的2个区域,可调节 | 晶圆上的2个区域,可调节 |