这款半导体经晶圆热处理系统是为半导体晶圆在可控气体、真空、氧化或还原气氛中的晶圆高温处理系统，可对晶圆真空退火，氧气退火处理。

铝室的特殊设计允许在*温度（高达1300°С）下进行热退火，并结合长时间退火（高达60分钟）。

该半导体经晶圆热处理系统既可用于研发活动，也可用于中试生产。加工后的晶圆最大直径为150mm。
半导体经晶圆热处理系统的优点之一是加热器和反应器加热晶片分离。加热器由位于反应器外部的卤素灯组成，通过工艺室中的石英窗口加热石墨工作台。这种加热器允许进行最高温度高达1300°С、加热速率高达150°С/秒的工艺。水冷铝室允许进行长期退火。反应器可在工艺气体排气后进行初步泵送。

半导体经晶圆热处理系统特色

•带水冷的铝制工艺室

•带空气冷却的卤素灯加热装置

•通过膜或可选涡旋泵对工艺室进行初步泵送

•泵送和气体吹扫的自动化，允许通过«一键按下»执行过程

•内置PID控制器的多级过程

•光学高温计，用于额外的温度控制（可选），光学进入150 mm晶圆的中心和边缘

•工作台温度由两个热电偶控制

•易于操作和维护

半导体经晶圆热处理系统可订购型号

•真空热退火

•在受控气体环境中进行热退火，并用惰性气体持续吹扫试验箱

•在自动保压的受控气体气氛中进行热退火

半导体经晶圆热处理系统规格参数

工艺过程反应器中的极限压力:<10Torr (可选<5×10

^-7）

泵浦速率： 5    m^3/h

反应器壁水冷： 是的

最大晶圆直径：150mm

最大加热速率：200℃/s  (不带电极夹具）

最大加热速率：50℃/s  (带电极夹具）

最大加热温度：1300℃

热均匀性@100mm直径：  +/-1(<500摄氏度）， +/-2(<1300℃）

真空退火：标配

氧气退火：　标配

自动化退货：标配