这款III族氮化物分子束外延系统专业为A3N材料生长设计的MBE设备,适合氨气高温下制备生长A3N半导体材料,提供非常广泛的可用生长参数（有效氮通量、衬底温度、生长过程中的真空度）。III族氮化物分子束外延系统设计在衬底上提供*的温度（>1200℃）以及在长生长周期中加热阶段的可靠工作。利用氨作为活性氮源，可以生长出高质量、厚的AlN/AlGaN缓冲层。这项技术的结果是生长出位错密度极低的活性层，为分子束外延（MBE）创造了记录。
III族氮化物分子束外延系统系列有两种（STE3N2）和三种（STE3N3）基本类型，配备有缓冲准备室。除了NH3注入器外，III族氮化物分子束外延系统还可能配备氮等离子体源（可选），用于生长InGaN、InAlN和InAlN的活性层藻类：MgIn与氨水混合。
III族氮化物分子束外延系统采用衬底支架和生长操纵器的加热台的patent设计，用于III氮化物生长的所有类型衬底（蓝宝石、SiC、Si、AlN）提供了非常高的加热均匀性。允许最大衬底直径100mm,用于基础和应用研发以及基于III型氮化物的高质量外延片的试生产。

III族氮化物分子束外延系统主要特点：
•特殊的先进设计和经批准的生长反应器，在NH3环境和jiduan基质温度下提供关键系统组件的长期可靠运行
•超大液氮冷冻板，用于有效的氨气泵送，在高NH3负荷下提供连续生长
•patent铝源，特殊设计，延长使用寿命，在氨气环境下提供超过2μm/h的AlN生长速率，无金属蠕变
•能够生长质量与在不匹配衬底上生长的MOCVD层相当的GaN外延层
•在系统基本配置中对生长过程进行现场监测的所有必要工具
•获得patent的基板支架设计，在整个晶圆上提供高温均匀性
•高温生长操纵器，在不低于1200°С的生长温度下提供高质量AlN层的连续生长
•在210-135 mm范围内改变“源-基”距离的能力，以使用不同类型的电池和晶片OD优化均匀性
•STE3N2双腔型紧凑型“封装外形”
•安装期间的有效技术支持，包括基本工艺转移
•简单的系统操作和定期的技术维护
III族氮化物分子束外延系统主要选项：
•准备室，带有用于基板支架（7个）和脱气台的存储盒，原子氢源专用端口
•额外的渗出细胞（5、15、25、35、60 cc的坩埚）
•附加PID调节器电源单元
•射频等离子体氮源，带有带MFC的氮气供应管线
•SiH4气体喷射器和带MFC的气体供应管线
•Bayard-Alpert型束流监测器（BFM）
•在涡轮泵中提供额外的原子基底，以及分子泵制备
•带电源装置的钛升华泵
•额外的基板支架，包括用于非标准尺寸样品的适配器
•系统运行的起始材料（Ga、Al、In、NH3、N2、Si、Mg、钛金属化蓝宝石晶片等）
•基于相分离器的液氮供应系统
•额外的备件和附件套件
III族氮化物分子束外延系统参数：