EVG 850LT   SOI和直接晶圆键合系统
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EVG 850LT   SOI和直接晶圆键合系统

SOI and Direct Wafer BondEVG 850LT SOI和直接晶圆键合系统

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-09-25 16:50:14
1132
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产地类别:进口;应用领域:电子;
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北京亚科晨旭科技有限公司

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产品简介

适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统; 技术数据:EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独立单元。 处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激活并结合在等离子体激活室外部)。

详细介绍

EVG 850 LT

Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

EVG 850LT   SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

 

自动化生产键合系统,适用于多种融合/分子晶圆键合应用

 

晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOIEVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,融合了熔合的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。

 

特征

利用EVGLowTemp™等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种融合/分子晶圆键合应用       ;生产系统可在高通量,高产量环境中运行

盒到盒的自动操作(错误加载,SMIFFOUP);         无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁;                    ;   机械平整或缺口对齐的预粘合

先进的远程诊断技术数据

晶圆直径(基板尺寸)100-200150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预粘接室

对齐类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:XY:±50 µm,θ:±0.1°

结合力:zui5 N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件)

LowTemp™等离子激活模块

2种标准工艺气体:N2O2,以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(ArHeNe等)和合成气(N2ArH4含量zui高)

通用质量流量控制器:zui多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速zui高可达到20.000 sccm

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