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美国AGI PbS硫化铅探测器
面议
美国EOS Si探测器（0.2-1.1um）
面议
德国IFW碳化硅紫外探测器
面议
vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）
￥10000
vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）
￥10000
vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）
￥10000
美国infrared液氮制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器（1um-26um）
￥10000美国infrared锑化铟光电探测器（1um-5.5um）
￥5000
美国GPD铟镓砷InGaAs光电探测器（0.5um-2.6um）
￥1000美国GPD锗Ge光电探测器（0.5um-1.8um）
￥600
紫外碳化硅SiC光电探测器（190nm-400nm）
￥200美国EOS砷化铟InAs光电探测器（1.0um-3.8um）:
简介：在室温的条件下，该产品具有很高的灵敏度，还有一些附件支持，如滤光片（长波滤光片和带通滤光片）、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备。
美国EOS砷化铟InAs光电探测器（1.0um-3.8um）
室温条件下:
型号 | InAs-010 | InAs-020 |
Active Diameter (mm) | 1.0 | 2.0 |
Operating Temperature (℃) | 22 | 22 |
Operating Wavelength(μm) | 1.0-3.4 | 1.0-3.4 |
Shunt Resistance (Ω)typ | ≥15 | ≥10 |
Shunt Capacitance (pF),typ | 400 | 1200.nom |
NEP @1.3μm (W/Hz1/2) | 33x10-12 | 5.5x10-11 |
Responsivity(A/W) | 1.0 @3.2μm | 0.8 typ |
二级制冷条件下:
型号 | InAs-010-TE2_TO8 | InAs-020-TE2_TO8 |
Operating Temperature (℃) | -30 | -30 |
Responsivity(A/W) | 1.4 min@3.2μm | 1.5 |
Shunt Resistance (Ω) | 500 | 100 |
Shunt Capacitance (pF) | 450 | 1200 |
Thermistor Resistance (KΩ) | 40.0typ | 40.0typ |
Cooler Current(A) | 0.65TYP | 0.65TYP |
Max Cooler Current (A) | 1.25 | |
