其他品牌 品牌
生产厂家厂商性质
西安市所在地
美国EOS Si探测器(0.2-1.1um)
面议德国IFW碳化硅紫外探测器
面议vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器(0.5um-11um)
¥10000vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)
¥10000vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)
¥10000美国infrared液氮制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(1um-26um)
¥10000美国infrared锑化铟光电探测器(1um-5.5um)
¥5000美国EOS砷化铟InAs光电探测器(1.0um-3.8um)
¥1500美国GPD铟镓砷InGaAs光电探测器(0.5um-2.6um)
¥1000美国GPD锗Ge光电探测器(0.5um-1.8um)
¥600紫外碳化硅SiC光电探测器(190nm-400nm)
¥200美国AGI PbS硫化铅探测器
美国AGI PbS硫化铅探测器的工作波长在1.0-3.0微米。在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备。
参数表:
型号 | Active Area | Operating Temperatuer (℃) | Operating wavelength | Dark Resistance (MΩ) | Time Constant (us) | Voltage Bias(V) | Responsivity @λp(V/W) | D* @λp(cm Hz1/2/W) |
LD-PbS-010 | 1mm×1mm | 22 | 1.0-2.8 | 0.3-1.5 | 300 typ | 50 | ≥105 | ≥1×1011 |