InfraRed Associates/美国 品牌
生产厂家厂商性质
西安市所在地
美国AGI PbS硫化铅探测器
面议美国EOS Si探测器(0.2-1.1um)
面议德国IFW碳化硅紫外探测器
面议vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器(0.5um-11um)
¥10000vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)
¥10000vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)
¥10000美国infrared液氮制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(1um-26um)
¥10000美国EOS砷化铟InAs光电探测器(1.0um-3.8um)
¥1500美国GPD铟镓砷InGaAs光电探测器(0.5um-2.6um)
¥1000美国GPD锗Ge光电探测器(0.5um-1.8um)
¥600紫外碳化硅SiC光电探测器(190nm-400nm)
¥200InfraRed 公司成立于1976年,自成立起一直提供 HgCdTe和 and InSb红外探测器.公司成立时总部位于新泽西,1997年公司经过革新,总部搬到佛罗里达.
InfraRed提供各种制冷方式的HgCdTe和InSb 探测器,包括液氮制冷,斯特林制冷和热电点制冷.另外, InfraRed可以根据客户的要求,定制满足客户要求的产品.
1.光谱响应曲线
2.美国infrared锑化铟光电探测器(1um-5.5um)选型表格
3.配套前置放大器
前置放大器型号:INSB-1000
连接方式:BNC
供电电压:±15V DC ; 至少≤10mA的输出.
带宽: 1.5HZ -- 150KHz.zui高可5MHz.
调节前放的增益,可以把信号放大5-100倍.
美国infrared锑化铟光电探测器(1um-5.5um)
InfraRed 公司成立于1976年,自成立起一直提供 HgCdTe和 and InSb红外探测器.公司成立时总部位于新泽西,1997年公司经过革新,总部搬到佛罗里达.
InfraRed提供各种制冷方式的HgCdTe和InSb 探测器,包括液氮制冷,斯特林制冷和热电点制冷.另外, InfraRed可以根据客户的要求,定制满足客户要求的产品.