VIGO PHOTONICS 品牌
生产厂家厂商性质
西安市所在地
vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）
非制冷光电探测器
1、PV系列（2-12μm红外光电探测器）
特点：室温下工作；无需偏置；响应时间短；无闪动噪声；从DC到高频范围工作；与快速逻辑元器件*兼容；动态范围宽；低成本；可根据客户要求设计。
描述：PV-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列的光电探测器是红外光电探测器，这些装置在2～11µm范围内的任意值可以达到*的性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。
详细规格：
特性（@ 20ºC） | 单位 | PV-3 | PV-4 | PV-5 | PV-6 | PV-8 |
*特性波长λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W
|
≥8?109 ≥5?109 |
≥1.5?109 ≥1?109 |
≥8?108 ≥5?108 |
≥4?108 ≥2?108 |
≥8?107 ≥4?107 |
响应度 | A/W | ≥1.2 | ≥1.2 | ≥1.2 | ≥1 | ≥0.5 |
响应时间τ | ns | ≤15 ** | ≤15** | ≤15** | ≤12** | ≤7** |
并联电阻-光学面积 | Ω·cm 2 | ≥0.05 | ≥0.01 | ≥0.003 | ≥0.001 | ≥0.0002 |
光学面积（长 × 宽） 或直径 (园形) | mm x mm mm | 0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3 | ||||
工作温度 | K | 300 | ||||
视场, F# | deg | 60, 0.5 | ||||
2、PVI系列（2-12μm红外光电探测器、光侵入式）
特点：室温下工作；无需偏置；响应时间短；无闪动噪声；从DC到高频范围工作；与快速逻辑元器件*兼容；动态范围宽；低成本；可根据客户要求设计。
描述：PVI-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列探测器是红外光电探测器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置在2～11µm范围内的任意值可以达到*的性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）
详细规格：
特性（@ 20ºC） | 单位 | PVI-3 | PVI-4 | PVI-5 | PVI-6 | PVI-8 |
*特性波长λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥2E10 ≥1.5E10 |
≥6E9 ≥4E9 |
≥3E9 ≥2E9 |
≥2E9 ≥1E9 |
≥3E9 ≥1.5E8 |
响应度 | A/W | ≥1.2 | ≥1.3 | ≥1.3 | ≥1.2 | ≥1 |
响应时间τ | ns | ≤15** | ≤15** | ≤15** | ≤12** | ≤7** |
并联电阻-光学面积 | Ω·cm 2 | ≥5 | ≥1 | ≥0.3 | ≥0.1 | ≥0.02 |
光学面积（长×宽） 或直径 (圆形) | mm x mm mm | 0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3 | ||||
工作温度 | K | 300 | ||||
视场, F# | deg | 35, 1.65 | ||||
3、PVM系列（2-12μm红外光电探测器、倍增结构）
特点：室温下工作；无需偏置；响应时间短；无闪动噪声；从DC到高频范围工作；与快速逻辑元器件*兼容；动态范围宽；低成本；可根据客户要求设计。
描述：PVM-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器，这些装置专门用于大范围内的探测，工作在8～12µm的范围。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。
详细规格：
特性（@ 20ºC） | 单位 | PVM-8 | PVM-10.6 |
*特性波长λop | μm | 8 | 10.6 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥1.2E8 ≥6E7 |
≥3E7 ≥1E7 |
响应度（at λop*） | V·mm/W | ≥0.6 | ≥0.1 |
响应时间τ | ns | ≤7 | ≤1 |
电阻 | Ω | 15-300 | 10-150 |
光学面积(矩形长×宽) | mm x mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2 | |
工作温度 | K | 300 | |
视场, F# | Deg | 60, 0.5 | |
4、PVMI系列（2-12μm红外光电探测器、倍增结构、光侵入式）
特点：室温下工作；无需偏置；响应时间短；无闪动噪声；从DC到高频范围工作；与快速逻辑元器件*兼容；动态范围宽；大面积装置；低成本；可根据客户要求设计。
描述：PVMI-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置工作在8～12微米的范围内特别用于大范围探测。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。
详细规格：
特性（@ 20ºC） | 单位 | PVMI-8 | PVMI-10.6 |
*特性波长λop | μm | 8 | 10.6 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥6?108 ≥3?108 |
≥2?108 ≥1?108 |
响应度–at λop | V×mm/W | ≥3 | ≥0.5 |
响应时间τ | ns | ≤7 | ≤1 |
电阻 | Ω | 15-300 | 10-150 |
光学面积 （长 × 宽） | mm× mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | |
工作温度 | K | 300 | |
视场, F# | deg | 35, 1.65 | |
5、PC系列（2-12μm红外光电导探测器）
特点：室温下工作；D*(10.6 µm)达到6*107 cmHz1/2/W；响应时间≤1ns；与快速逻辑元器件*兼容；使用方便；低成本；及时交货；可根据客户要求设计。
描述：PC-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列是高速、室温工作的红外光电导探测器。这些装置在2～12微米范围内的任意值可以达到*的性能。。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe（优化掺杂面和改进的表面处理）来获得。用小型轻巧耐用的包装封装的。每个探测器都提供性能参数。探测器适用于外差探测，高频辐射探测要求响应时间短并与快速元器件兼容，以及能够与快速电子学匹配的高频辐射。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。
详细规格：
特性（@ 20ºC） | 单位 | PC-4 | PC-5 | PC-6 | PC-9 | PC-10.6 |
*特性波λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 |
探测率: at ?λpeak,20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W | >4E9 >2E9 | >2E9 >1E9 | >6E8 >3E8 | >6E9 >2E7 |
>1E7 >4E6 |
响应度-@λop | Vmm/W | >100 | >40 | >6 | >0.4 | >0.05 |
响应时间τ | ns | <1000 | <500 | <200 | <2 | <1 |
1/f噪声拐点频率 | kHz | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-20 |
有效面积(长×宽) | mm × mm | 0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;3×3;4×4 | ||||
偏置电流-宽度比* | mA/mm | 1－10 | 1－10 | 1－10 | 1－10 | 1－20 |
薄层电阻系数 | Ω/sqr | 300-1000 | 200-400 | 100-300 | 50-150 | 40-120 |
视场, F#* | deg | 60, 0.5 | ||||
6、PCI系列（2-12μm红外光电导探测器、光入浸式）
特点：室温下工作；D*(10.6 µm)达到3*108cmHz1/2/W；响应时间≤1ns；动态范围宽；与快速逻辑元器件*兼容；使用方便；低成本；及时交货；可根据客户要求设计。
描述：PCI-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列的电探测器是非冷却红外光电探测器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置在2～12µm范围内的任意值可以达到*的性能。他们的高性能和稳定性通过开发的变隙（HgCdZnTe）半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。
详细规格：
特性（@ 20ºC） | 单位 | PCI-4 | PCI-5 | PCI-6 | PCI-9 | PCI-10.6 |
*特性波长λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 |
探测率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W |
>1E10 >6E9 |
>7E9 >4E9 |
>2E9 >1E9 |
>3E8 >1E8 |
>2E8 >5E7 |
响应度-@λop | Vmm/W | >600 | >300 | >60 | >3 | >2 |
响应时间τ | ns | <1000 | <500 | <200 | <2 | <1 |
1/f噪声拐点频率 | kHz | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-20 |
有效面积(长×宽) | mm×mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2 | ||||
偏置电流-宽度比 | mA /mm | 1－2 | 2－4 | 3－10 | 3－15 | 5－20 |
薄层电阻系数 | Ω/sqr | 300-1000 | 200-400 | 100-300 | 50-150 | 40-120 |
视场, F# | deg | 35,1.65 | ||||
