vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器(0.5um-11um)
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vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器(0.5um-11um)
vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器(0.5um-11um)

PEM-nvigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器(0.5um-11um)

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2016-08-25 10:45:37
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西安立鼎光电科技有限公司

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产品简介

vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器(0.5um-11um)波兰VIGO公司是生产红外探测器及配套偏置和前置放大电路的专业公司,该公司生产的红外探测器,分制冷型(低温工作)和非制冷型(室温工作)两大类,其中包括70多种型号。VIGO红外探测器符合ISO9000标准质量体系,被广泛用于激光预警、红外探测与监控、辐射测温、激光跟踪与定位、激光识别、计量和光通讯等的研究与开发。

详细介绍

vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器(0.5um-11um)

PEM系列(2-12μm红外光电磁探测器、光平直入浸式)

特点:室温下工作;无需偏置;光谱范围(2-12µm);D*(10.6 µm)达到2*107cmHz1/2/W;响应时间≤1ns;无闪动噪声;从直流到高频工作;重量轻,耐用可靠;低成本;可根据客户要求设计。

描述:PEM系列经过优化使得在波长为10.6微米可以达到*的使用状态。PEM1使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光入。探测器由(Hg-Cd-Zn-Te)半导体经过成分选择和掺杂面处理而获得,微型永磁铁提供非常强的磁场。PEM系列的探测器非常适合10.6微米辐射的外差探测。无闪动噪音,在整个2-12 µm光谱范围内可以同时用于CW和低频调制辐射。可以按客户定制器件的要求提供如单个各种规格的元件、四象限单元、多元件阵列、特定封装和连接器。vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器(0.5um-11um)

详细规格:

特性(@ 20ºC)

单位

PEM-10.6

PEMI-10.6

*特性波长λop

μm

10.6

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

≥1.5E7

≥4E6

≥8E7

≥2E7

电阻率

V/W

≥0.04

≥0.2

响应时间τ

ns

≤1

≤1

电阻

Ω

40-100

40-100

光学面积(长×宽)

或直径(圆形)

mm x mm

mm

0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2

工作温度

K

300

视场, F/#

deg

60,0.5   38,1.65

 

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