LD-S/UVS系列-美国EOS Si探测器（0.2-1.1um）_硅Si（300nm-1100nm）-西安立鼎光电科技有限公司手机版

详细介绍

硅光电探测器的本质是一个反向偏置的半导体二极管，PIN硅二极管是在重掺杂的P区和N区之间夹有一层叫做本征体（i层）的半导体。当PN结收到光照射时，光子和半导体晶格原子相互作用，当入射光子能量E=hv超过硅材料的禁带宽度E0，就在耗尽区中或离耗尽层边沿一个扩散长度内产生电子--空穴对。这种电子--空穴对被外加电场拉开，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，当载流子的移动通过耗尽层时，在外电路形成光电流。

硅光电探测器是光电器件重要的的组成部分，是可见光和近红外波段主要的探测器。硅的探测器的工作波长在0.3-1.0微米。在室温的条件下，该产品具有很高的灵敏度，还有一些附件支持，如滤光片（长波滤光片和带通滤光片）、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备中。

室温Si探测器

Detector type	Active Dia (mm)	Shunt Resistanve (MΩ)	Shunt Capacitance pF),tpy	OperatingWavelength (nm)	Spectral Responsivity (A/W)	NEP (W/) @800nm,1KHz
LD-S-010	1.0	500	25	300-1000	0.55@850nm	<1.0x
LD-UVS-010	1.0	500	50	200-1000	0.55@800nm	<1.0x
LD-S-025	2.5	500	400	300-1000	0.55@850nm	<1.0x
LD-UVS-025	2.5	200	300	200-1000	0.50@800nm	<1.5x
LD-S-050	5	200	1500	350-1100	0.55@850nm	<1.5x@850nm
LD-UVS-050	5	50	1000	200-1100	0.50@800nm	<3.0x@700nm
LD-S-100	10	10	1000	350-1100	0.50@850nm	<1.0x@850nm
LD-UVS-100	10	50	1800	200-1000	0.50@800nm	<5x@800nm
LD-S-113	11.3	200	9000	300-1100	0.55@850nm	<1.5x
LD-UVS-113	11.3	10	4000	200-1000	0.50@800nm	<1.0x

二级制冷Si探测器

type	OperatingTemperature(℃)	Shunt Resistanve (MΩ)	Shunt Capacitance (pF),tpy	NEP (W/)@800nm	Responsivity@850nm (A/W)	Cooler Current (A)
LD-S-010-TE2	22	500	25	——	0.55	0.00
LD-S-010-TE2	-30	>1000	25	——	0.55	0.65
LD-UVS-010-TE2	22	500	50	——	0.55	0.00
LD-UVS-010-TE2	-30	>1000	50	——	0.55	0.65
LD-S-025-TE2	22	100	400	<1.9x10^-14	0.55	0.00
LD-S-025-TE2	-30	>1000	400	<5x10^-15	0.55	0.65
LD-UVS-025-TE2	22	200	300	<1.5x10^-14	0.55	0.00
LD-UVS-025-TE2	-30	>1000	300	<10^-14	0.55	0.65
LD-S-050-TE2	22	>200	1000	<1.5x10^-14	0.55	0.00
LD-S-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
LD-UVS-050-TE2	22	>100	1000	<2x10^-14	0.55	0.00
LD-UVS-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
LD-S-100-TE2	22	10	1000	<1.0x10^-13	0.50	0.00
LD-S-100-TE2	-30	500	900	<1.0x10^-14	0.50	0.70
LD-UVS-100-TE2	22	50	1800	<5.0x10^-14	0.50	0.00
LD-UVS-100-TE2	-30	1000	1600	<1.0x10^-14	0.50	0.70

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