哈默纳科行星减速机CSG-17-100-2UH

曝光后的硅片从曝光系统又回到硅片轨道系统，需要进行短时间的曝光后烘培。其目的是促进光刻胶的化学反应，或者提高光刻胶的粘附性并减少驻波。在光刻胶的产品说明书中，生产商会提供后烘的时间和温度。进行后烘时，硅片放在自动轨道系统的一个热板上，处理的温度和时间需要根据光刻胶的类型确定。典型后烘的温度90~130℃，时间1~2分钟。

        用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶可溶解区域就是光刻胶显影，目的是把掩模版图形准确复制到光刻胶中。显影的要求重点是产生的关键尺寸达到规格要求。

     曝光过程包括：聚焦、对准、曝光、步进和重复以上过程。

    光学曝光技术经历了不同的发展阶段。按照掩模版与硅片的位置关系区分，从最初的接触式曝光，发展到接近式曝光，直到现在的投影式曝光。曝光光源主要使用紫外光、深紫外光、极紫外光，现今的是：汞灯和准分子聚光光源。

    哈默纳科行星减速机CSG-17-100-2UH光刻设备的发展和使用经历了五个不同阶段，分别是：接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影光刻机、分步重复光刻机、步进扫描光刻机。

   曝光与对准过程主要由光刻机完成。光刻机造价高昂，是非常复杂的系统，涉及的技术也非常多。光刻机是芯片生产的关键设备，也是电子制造的核心技术设备

以光学紫外曝光为例，首先将硅片定位在光学系统的聚焦范围内，硅片的对准标记与掩模版上相匹配的标记对准后，紫外光通过光学系统和掩模版图形进行投影。掩模版图形若以亮暗的特征出现在硅片上，这样光刻胶就曝光了。

    8所示为紫外曝光系统曝光过程示意图。该曝光系统包括一个紫外光源、一个光学系统、一块由芯片图形组成的投影掩模版、一个对准系统和涂过光刻胶的硅片。硅片放在可以实现X、Y、Z、?方向运动的承片台上，由对准激光系统实现承片台上的硅片与掩模版之间的对准，由光源系统、投影掩模版、投影透镜实现硅片上光刻胶的曝光。