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VTC-1HD-Z F2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪是多功能高真空镀膜设备,含单靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。
本机设置1个蒸镀加热舟,特别适合蒸镀对氧较敏感的金属膜(如Ti、Al 、Au等),加热舟上方有一个可旋转挡板;2只束源炉工位(标配1只束源炉);1组流量计(氩气一组)带φ150玻璃观察窗。
产品名称 | VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪 | |
产品型号 | VTC-1HD-ZF2 | |
主要参数 | 1、真空室:φ324X330 极限真空6.0X10-4Pa(采用国产FF-150升涡轮分子泵+机械泵) 漏率:2.0x10-10Pa.m3/s 材料为304不锈钢焊接,电化学表面抛光处理。 活动处密封采用橡胶密封圈,不活动处密封采用铜密封圈密封。 动力传动采用磁耦合联动方式。 真空室一个磁控靶位、一组蒸发电极(两只)、2只束源炉工位(标配1只束源炉)。 1组流量计(氩气一组)带φ150玻璃观察窗,另预留C35法兰接口。 | |
2、溅射靶头:2吋(φ50.8mm) 工作真空度:10Pa~0.2Pa 靶材利用率:>35%(标准3mm铜靶材,靶面真空度0.5Pa) MAX功率:<240W(充分冷却) 绝缘电压:>2000V(配套500W直流电源1个) | ||
3、电阻蒸发: 蒸发输出电压:AC 0-8V连续可调 极限蒸发电流200A 极限蒸发功率<1.6KW 温度不可控,不可测。 | ||
4、束源炉:坩埚容量:3CC 加热温度:室温-700°C 加热温度可测、可调、可控。 控温精度:±0.5°C 标配石英坩埚,带挡板、热电偶。 电源功率:500W、36V | ||
5、样品台:φ120 温控:室温-500°C 转数:1-20rpm 样品台可手动升降,可调行程上限:50mm | ||
6、EQ-TM106-1膜厚仪 1)电源:DC 5V(±10%),MAX电流400mA 2)频率分辨率:±0.03Hz 3)膜厚分辨率:0.0136Å(铝) 4)膜厚准确度:±0.5%,取决于过程条件,特别是传感器的位置,材料应力,温度和密度。 5)测量速度:100ms-1s/次,可设置 6)测量范围:500000Å(铝) 7)标准传感器晶体:6MHz 8)计算机接口:RS-232/485串行接口(波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可设置,数据位:8,停止位:1,校验:无) 9)模拟输出:8比特分辨率,PWM脉宽调制输出(集电极开路或内部5V输出) 10)工作环境:温度0-50℃,湿度5%-85%RH,不得有冷凝水珠 11)外形尺寸:90mm×50mm×18mm | ||
7、设备标配冷水机组1台(KJ5000型),客户自备冷水机及去离子水或纯净水。 | ||
8、整机电源输入:AC220V/50Hz。功率<3.5KW。 | ||
9、产品规格: 尺寸:约1300mm×660mm×1200mm; 重量:约160 kg |