VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪
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VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪
VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪

VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪

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2024-12-18 12:42:32
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产地类别:国产;价格区间:面议;应用领域:电子,冶金,综合;
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产地类别
国产
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面议
应用领域
电子,冶金,综合
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沈阳科晶自动化设备有限公司

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产品简介

VTC-1HD-Z F2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪是多功能高真空镀膜设备,含单靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。
本机设置1个蒸镀加热舟,特别适合蒸镀对氧较敏感的金属膜(如Ti、Al 、Au等),加热舟上方有一个可旋转挡板;2只束源炉工位(标配1只束源炉);1组流量计(氩气一组)带φ150

详细介绍

产品简介VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪

VTC-1HD-Z F2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪是多功能高真空镀膜设备,含单靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。

本机设置1个蒸镀加热舟,特别适合蒸镀对氧较敏感的金属膜(如Ti、Al 、Au等),加热舟上方有一个可旋转挡板;2只束源炉工位(标配1只束源炉);1组流量计(氩气一组)带φ150玻璃观察窗。

技术参数VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪

产品名称

VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪

产品型号

VTC-1HD-ZF2

主要参数

1、真空室:φ324X330

极限真空6.0X10-4Pa(采用国产FF-150升涡轮分子泵+机械泵)

漏率:2.0x10-10Pa.m3/s

材料为304不锈钢焊接,电化学表面抛光处理。

活动处密封采用橡胶密封圈,不活动处密封采用铜密封圈密封。

动力传动采用磁耦合联动方式。

真空室一个磁控靶位、一组蒸发电极(两只)、2只束源炉工位(标配1只束源炉)。

1组流量计(氩气一组)带φ150玻璃观察窗,另预留C35法兰接口。

2、溅射靶头:2吋(φ50.8mm)

工作真空度:10Pa~0.2Pa

靶材利用率:>35%(标准3mm铜靶材,靶面真空度0.5Pa)

MAX功率:<240W(充分冷却)

绝缘电压:>2000V(配套500W直流电源1个)

3、电阻蒸发:

蒸发输出电压:AC 0-8V连续可调

极限蒸发电流200A

极限蒸发功率<1.6KW

温度不可控,不可测。

4、束源炉:坩埚容量:3CC

加热温度:室温-700°C

加热温度可测、可调、可控。

控温精度:±0.5°C

标配石英坩埚,带挡板、热电偶。

电源功率:500W、36V

5、样品台:φ120

温控:室温-500°C

转数:1-20rpm

样品台可手动升降,可调行程上限:50mm

6、EQ-TM106-1膜厚仪

1)电源:DC  5V(±10%),MAX电流400mA

2)频率分辨率:±0.03Hz

3)膜厚分辨率:0.0136Å(铝)

4)膜厚准确度:±0.5%,取决于过程条件,特别是传感器的位置,材料应力,温度和密度。

5)测量速度:100ms-1s/次,可设置

6)测量范围:500000Å(铝)

7)标准传感器晶体:6MHz

8)计算机接口:RS-232/485串行接口(波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可设置,数据位:8,停止位:1,校验:无)

9)模拟输出:8比特分辨率,PWM脉宽调制输出(集电极开路或内部5V输出)

10)工作环境:温度0-50℃,湿度5%-85%RH,不得有冷凝水珠

11)外形尺寸:90mm×50mm×18mm

7、设备标配冷水机组1台(KJ5000型),客户自备冷水机及去离子水或纯净水。

8、整机电源输入:AC220V/50Hz。功率<3.5KW。

9、产品规格:

尺寸:约1300mm×660mm×1200mm;         重量:约160 kg




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