LNEYA/无锡冠亚 品牌
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Chiller高精度冷热循环器 TCU换热控温系统
¥154122正压防爆/隔离防爆制冷加热动态控温系统
¥154588TCU反应釜温度控制系统 导热油温控装置
¥408890-92℃~250℃TEC半导体冷水机
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电子半导体测试制冷加热控温系统
电子半导体测试制冷加热控温系统
型号 | TES-4525 / TES-4525W | |||||
温度范围 | -45℃~250℃ | |||||
加热功率 | 2.5kW | |||||
制冷量 | 250℃ | 2.5kW | ||||
100℃ | 2.5kW | |||||
20℃ | 2.5kW | |||||
0℃ | 1.8kW | |||||
-20℃ | 0.85kW | |||||
-40℃ | 0.25kW | |||||
导热介质温控精度 | ±0.3℃ | |||||
系统压力显示 | 制冷系统压力采用指针式压力表实现(高压、低压) 循环系统压力采用压力传感器检测显示在触摸屏上 | |||||
控制器 | 西门子PLC,模糊PID控制算法,具备串控制算法 | |||||
温度控制 | 导热介质出口温度控制模式 外接温度传感器:(PT100或4~20mA或通信给定)控制模式(串控制) | |||||
可编程 | 可编制10条程序,每条程序可编制45段步骤 | |||||
通信协议 | 以太网接口TCP/IP协议 | |||||
设备内部温度反馈 | 设备导热介质出口温度、介质温度、制冷系统冷凝温度、环境温度、压缩机吸气温度、冷却水温度(水冷设备有) | |||||
外接入温度反馈 | PT100或4~20mA或通信给定 | |||||
串控制时 | 导热油出口温度与外接温度传感器的温度差可设定可控制 | |||||
温差控制功能 | 设备进液口温度与出液口温度的温度差值可设定可控制(保护系统安全) | |||||
密闭循环系统 | 整个系统为全密闭系统,高温时不会有油雾、低温不吸收空气中水份,系统在运行中不会因为高温使压力上升,低温自动补充导热介质。 | |||||
加热 | 指系统大的加热输出功率(根据各型号) 加热器有三重保护,独立温度限制器,确保加热系统安全 功率大于10kW采用调压器,加热功率输出控制采用4~20mA线性控制 | |||||
制冷能力 | 指在不同的温度具备带走热量的能力(理想状态下),实际工况需要考虑环境散热,请适当放大,并且做好保温措施。 | |||||
循环泵流量、压力 max | 采用冠亚磁力驱动泵/德国品牌磁力驱动泵 | |||||
20L/min 2.5bar | ||||||
压缩机 | 法国泰康 | |||||
蒸发器 | 采用DANFOSS/高力板式换热器 | |||||
制冷附件 | 丹佛斯/艾默生配件(干燥过滤器、油分离器、高低压保护器、膨胀阀) | |||||
操作面板 | 无锡冠亚定制7英寸彩色触摸屏,温度曲线显示EXCEL 数据导出 | |||||
安全防护 | 具有自我诊断功能;相序断相保护器、冷冻机过载保护;高压压力开关,过载继电器、热保护装置等多种安全保障功能。 | |||||
制冷剂 | R-404A / R507C | |||||
接口尺寸 | G1/2 | |||||
外型尺寸(风)cm | 45*85*130 | |||||
外型尺寸(水)cm | 45*85*130 | |||||
风冷型 | 采用铜管铝翅片冷凝方式,上出风型式,冷凝风机采用德国EBM轴流风机 | |||||
水冷型 W | 带W型号为水冷型 | |||||
水冷冷凝器 | 套管式换热器(帕丽斯/沈氏 ) | |||||
冷却水量 at 25℃ | 0.6m3/h | |||||
电源 | 4.5kW max 220V | |||||
电源 | 可定制460V 60HZ、220V 60HZ 三相 | |||||
外壳材质 | 冷轧板喷塑 (标准颜色7035) | |||||
隔离防爆 | 可定制隔离防爆(EXdIIBT4) 无锡冠亚防爆产品安装许可证号:PCEC-2017-B025 | |||||
正压防爆 | 可定制正压防爆(EXPXdmbIICT4) 正压系统必须是水冷设备 无锡冠亚防爆产品安装许可证号:PCEC-2017-B025 | |||||
集成电路芯片测试中芯片失效怎么应对?
集成电路芯片测试是用于各种芯片、半导体、元器件测试中的,一旦芯片失效的话,测试工作就会停止,那么,集成电路芯片测试的失效用户需要了解清楚比较好。
集成电路芯片失效分析的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象,分辨其失效模式和失效机理,并确认其失效原因,并提出改善设计和制造工艺的建议,防止失效的重复出现,提高元器件的可靠性,失效分析是产品可靠性工程中一个重要组成部分。一般电子产品在集成电路芯片研发阶段,失效分析可纠正设计和研发阶段的错误,缩短研发周期,在产品生产、测试和使用时期,失效分析可找出元件的失效原因与引起元件失效的责任方,并根据失效分析结果,改进设计,并完善产品,提高整机的成品良率和可靠性有重要意义。
对于集成电路芯片失效原因过程的诊断过程叫做失效分析,但是我们在进行失效分析的过程中,往往需要借助仪器设备,以及化学类手段进行分析,失效分析的主要内容包括:明确分析对象,确认失效模式,判断失效原因,研究失效机理,提出改善预防措施。
现在科技发展迅速,集成电路芯片越来越小型化,复杂化,系统化,其他的功能越来越强大,集成度越来越高,体积越来越小,所以对于失效元件分析的要求越来越高,用于分析的失效的新技术,新方法,新设备越来越多,在实际的失效分析过程中,遇到的失效情况各不相同,可以根据失效分析的目的与实际,选择合适的分析技术与方法,要做到模式准确,原因明确,机理清楚,措施得力,模拟再现,举一反三。
集成电路芯片测试工作运行建议芯片失效的工作处理好比较好,避免一些不可抗力导致集成电路芯片测试不能合理的进行。(内容来源网络,如有侵权,请联系删除。)