Epiluvac ER3-C1

晶圆直径可达 200 mm （8“）

通过热壁拓扑结构实现出色的均匀性

先进的动态气体流量控制，可实现佳生长速率和掺杂均匀性。

具有多个加热区的出色温度曲线

不含石英，适用于氯化工艺

在清洁的惰性气氛中进行热晶圆装载/卸载可大限度地减少颗粒污染并延长石墨部件的使用寿命

模块化设计，两个、三个或四个反应器组成集群配置。每个反应器都针对特定的生长步骤进行了优化

在受控环境中在反应器之间进行晶圆运输

高达 1800 °C

适用于中小批量生产和研发

Epiluvac EPI 1000-C：

热壁 CVD 具有出色的均匀性

大 150 mm 基板直径

单晶圆和手动装载

非常适合研发

Epiluvac ER3-N1：

上述ER3-C1系统的GaN版本

可选的原位监测

获得利的温度控制，可大限度地减少晶圆弯曲

Epiluvac ER3-C1：

晶圆直径可达 200 mm （8“）

通过热壁拓扑结构实现出色的均匀性

先进的动态气体流量控制，可实现佳生长速率和掺杂均匀性。

具有多个加热区的出色温度曲线

不含石英，适用于氯化工艺

在清洁的惰性气氛中进行热晶圆装载/卸载可大限度地减少颗粒污染并延长石墨部件的使用寿命

模块化设计，两个、三个或四个反应器组成集群配置。每个反应器都针对特定的生长步骤进行了优化

在受控环境中在反应器之间进行晶圆运输

高达 1800 °C

适用于中小批量生产和研发

Epiluvac EPI 1000-C：

热壁 CVD 具有出色的均匀性

大 150 mm 基板直径

单晶圆和手动装载

非常适合研发

Epiluvac ER3-N1：

上述ER3-C1系统的GaN版本

可选的原位监测

获得利的温度控制，可大限度地减少晶圆弯曲