一、系统设备概述

多腔等离子体沉积/刻蚀系统是一款先进的沉积/刻蚀设备，广泛应用于半导体制造和微电子领域。该系统通过在多个腔室中产生等离子体，利用反应气体对材料进行选择性沉积/刻蚀，能够实现高精度和高均匀性的沉积/刻蚀效果。多腔设计使得设备能够同时处理多个晶圆，提高生产效率和吞吐量。该设备适用于多种材料，包括硅、氮化物和金属等，广泛用于集成电路、MEMS 以及光电器件的制造。凭借其良好的沉积/刻蚀性能和灵活的工艺调节能力，多腔等离子体沉积/刻蚀系统在现代微纳米加工中发挥着重要作用。

二、设备用途与原理

1.设备用途

多腔等离子体刻蚀沉积/刻蚀主要用于半导体制造、微电子和纳米技术领域。它广泛应用于集成电路（IC）、微机电系统（MEMS）、光电器件及其他高精度微纳加工，能够实现对硅、氮化物、金属等多种材料的选择性沉积/刻蚀。

2.工作原理

该系统通过在多个腔室中产生等离子体，利用反应气体与材料表面反应，选择性去除材料。首先，反应气体被引入刻蚀腔室，经过电场激励后形成等离子体。等离子体中的活性粒子与待刻蚀材料表面发生化学反应，产生挥发性副产物，从而实现材料的去除。多腔设计使得系统能够同时处理多个晶圆，显著提高生产效率和均匀性。此外，系统的工艺参数可调节，允许用户优化刻蚀速率和选择性，以满足不同应用的需求。

三、设备组成

1.方案是适用于大 8 吋晶圆的多腔等离子体1.方案是适用于大 8 吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统；

2.系统可用于研发和小批量生产；

3.系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空；

4.系统包括：

  一个六端口的转接腔、带机械手

  六个端口分别连接：

（1）一个 ALE 刻蚀腔模块：用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子层刻蚀；

（2）一个ICPECVD 沉积腔模块：用于沉积氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介质薄膜；

（3）一个低温 ICP-RIE 刻蚀腔模块：配氟基气体，主要用于低温深硅刻蚀、常温锗刻蚀等；

（4）一个 loadlock 预真空室模块：用于单片样品的手动送样；

（5）一个真空片盒站模块：用于多片片盒的自动送样；

（6）一个端口备用，未来可升增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块工艺系统。